IT之家 12 月 11 日消息，科技媒體 ZDNet Korea 昨日（12 月 10 日）發布博文，報道稱 SK 海力士正加速布局下一代 AI 存儲技術，該公司已聯手英偉達（NVIDIA）共同開發“AI-NAND”，有望突破存儲性能瓶頸。

在 2025 人工智能半導體未來技術會議（AISFC）上，SK 海力士副社長 Kim Cheon-sung 表示，其公司正與全球 AI 芯片巨頭英偉達展開緊密合作，致力于開發代號為“AI-N P”（性能型 AI NAND）的次世代存儲解決方案。

作為“AIN Family”產品線的一環，該方案旨在通過重構 NAND 與控制器的架構，打破 AI 運算與存儲之間的數據傳輸瓶頸，以滿足大規模 AI 推演環境對數據吞吐的極致需求。

IT之家援引博文介紹，SK 海力士計劃于 2026 年底發布基于 PCIe Gen 6 接口的初期樣品，該產品將支持高達 2500 萬 IOPS（每秒讀寫次數）。

考慮到目前數據中心主流的高性能企業級 SSD（eSSD）最大 IOPS 約為 300 萬，新產品的性能將實現約 8 至 10 倍的跨越式提升。

圖源：hankyung

該公司已著手研發第二代產品，目標是在 2027 年底將性能進一步推高至 1 億 IOPS，達到現有產品的 30 倍以上。

為了應對 AI 數據中心和端側 AI 的多樣化需求，SK 海力士正在構建包含 AI-N P（性能）、AI-N B（帶寬）和 AI-N D（容量）的完整產品矩陣。

公司目前正與英偉達就 AI-N P 進行聯合概念驗證（PoC），重點優化大規模數據吞吐時的能效與速度，通過針對性的優化，將有效緩解存儲系統在處理海量 AI 數據時的延遲問題，確保 GPU 算力不被存儲短板所拖累。

除性能型產品外，SK 海力士還在高帶寬存儲領域取得了進展。Kim Cheon-sung 表示，公司正與閃迪共同推進“AI-N B”的標準化工作。

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該產品在業內被稱為 HBF（高帶寬閃存），其原理類似 HBM（高帶寬內存），通過堆疊 NAND 閃存來大幅擴展數據傳輸帶寬，他預計 AI-N B 的 Alpha 版本將于 2026 年 1 月底面世，并在 2027 年推出正式樣品以供評估，這將為 AI 存儲架構提供全新的技術路徑。