IT之家 12 月 10 日消息，TrendForce（集邦科技）今日發(fā)布的最新報(bào)告顯示，隨著年底臨近，不同類型 DRAM 產(chǎn)品呈現(xiàn)分化走勢(shì)。

DDR5 與 DDR3 在前期大幅上漲后本周出現(xiàn)小幅回落，而 DDR4 尤其是 16Gb 產(chǎn)品，漲勢(shì)依舊強(qiáng)勁。與此同時(shí)，NAND Flash 現(xiàn)貨市場(chǎng)則在供應(yīng)端的支撐下持續(xù)刷新歷史高點(diǎn)，盡管漲幅較此前有所放緩。

在 DRAM 市場(chǎng)方面，DDR5 與 DDR3 在過(guò)去幾周經(jīng)歷快速拉升后，本周迎來(lái)溫和回調(diào)，主要來(lái)自部分現(xiàn)貨交易商的年底獲利了結(jié)操作。不過(guò)，這一調(diào)整并未改變整體供應(yīng)緊張的市場(chǎng)格局。

DDR4 價(jià)格繼續(xù)上行，其中 16Gb 顆粒需求強(qiáng)勢(shì)，推動(dòng)整體現(xiàn)貨價(jià)進(jìn)一步上漲。主流 DDR4 1Gx8 3200MT/s 芯片的平均現(xiàn)貨價(jià)由上周（12 月 3 日）的 16.729 美元上漲至本周（12 月 9 日）的 17.064 美元，漲幅 2.00%。TrendForce 認(rèn)為，這些短期變化并不會(huì)影響 DRAM 合約價(jià)在未來(lái)持續(xù)大幅上漲的趨勢(shì)。

NAND Flash 市場(chǎng)方面，盡管前期漲幅較大，但本周漲勢(shì)有所緩和。然而，供應(yīng)商在年底前未增加晶圓投放，使得供應(yīng)端成為價(jià)格支撐關(guān)鍵。在市場(chǎng)活動(dòng)偏弱的情況下，晶圓現(xiàn)貨價(jià)仍持續(xù)刷新高點(diǎn)。本周（12 月 9 日）512Gb TLC 晶圓現(xiàn)貨價(jià)上漲 0.28%，達(dá)到 9.634 美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 68.1 元人民幣）。

整體來(lái)看，DRAM 與 NAND 市場(chǎng)都受供應(yīng)緊縮影響，DDR4 仍是漲勢(shì)最明顯的產(chǎn)品線，而 NAND 價(jià)格在供應(yīng)端收緊下繼續(xù)維持在高位水平。