智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，據(jù)富國(guó)銀行援引美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新數(shù)據(jù)顯示，10月全球半導(dǎo)體銷售額同比激增33%，總額達(dá)713億美元。其中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)成為此次增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，其銷售額同比飆升90%，達(dá)到128.2億美元。DRAM主要生產(chǎn)商包括美光科技(MU.US)、三星電子(SSNLF.US)和SK海力士。NAND閃存銷售額同比增長(zhǎng)13%，總額為51.3億美元。

“需要注意的是，SIA對(duì)9月NAND閃存出貨量的預(yù)估進(jìn)行了大幅修正——這可能意味著每GB價(jià)格出現(xiàn)下降(例如10月環(huán)比下降16%?)，”富國(guó)銀行分析師Aaron Rakers在行業(yè)報(bào)告中指出，“然而，基于當(dāng)前市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，我們認(rèn)為這一判斷值得商榷。”

AI虹吸產(chǎn)能 短缺恐持續(xù)數(shù)年

事實(shí)上，就在行業(yè)銷售數(shù)據(jù)亮眼的同時(shí)，早些時(shí)候美光科技宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略調(diào)整：將退出旗下“英睿達(dá)”(Crucial)消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)，包括在全球零售和電商渠道停止銷售相關(guān)產(chǎn)品。

行業(yè)的強(qiáng)勁需求背后，是正在加劇的供應(yīng)緊張。

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana解釋稱：“數(shù)據(jù)中心AI驅(qū)動(dòng)的增長(zhǎng)導(dǎo)致對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求激增。 我們做出了退出英睿達(dá)消費(fèi)業(yè)務(wù)的艱難決定，以便為增長(zhǎng)更快的領(lǐng)域的大型戰(zhàn)略客戶改善供應(yīng)和支持。”此舉標(biāo)志著美光正將其資源和產(chǎn)能進(jìn)一步向高利潤(rùn)的企業(yè)級(jí)與商用市場(chǎng)傾斜。

內(nèi)存模組制造商十銓科技總經(jīng)理Gerry Chen近日也發(fā)出警告稱，內(nèi)存市場(chǎng)已出現(xiàn)顯著短缺，12月關(guān)鍵DRAM產(chǎn)品的合約價(jià)已上漲80%至100%。

Chen將此輪大幅漲價(jià)視為多年上行周期的開端，并預(yù)警最嚴(yán)重的影響將在2026年上半年顯現(xiàn)，屆時(shí)分銷商庫(kù)存將消耗殆盡。目前，內(nèi)存成本在PC和筆記本整機(jī)物料清單(BOM)中的占比已從原來的15%左右升至25%及以上。

短缺的根本原因在于需求結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變。當(dāng)前大量行業(yè)產(chǎn)能正轉(zhuǎn)向用于AI加速器的高帶寬內(nèi)存(HBM)，導(dǎo)致用于標(biāo)準(zhǔn)DRAM和3D NAND的晶圓產(chǎn)出減少。由于建設(shè)新產(chǎn)能需要數(shù)年時(shí)間，在2027年底或2028年前不太可能出現(xiàn)實(shí)質(zhì)性緩解。

其他數(shù)據(jù)顯示，10月微處理器(MPU)銷售額達(dá)59.8億美元，同比增長(zhǎng)16%，但出貨量同比下降4%，呈現(xiàn)“量?jī)r(jià)背離”態(tài)勢(shì);模擬芯片表現(xiàn)更為強(qiáng)勁，銷售額同比增長(zhǎng)18%至79.3億美元，出貨量同比攀升11%;微控制器(MCU)銷售額同比增長(zhǎng)18%至18.8億美元，出貨量同比增長(zhǎng)21%;MOSFET功率器件銷售額同比增長(zhǎng)19%至10.2億美元。