在新能源汽車領域實現SiC MOSFET規模化應用后，AI算力爆發催生的高效電源需求正成為第三代半導體產業的新增長引擎。

芯聯集成順勢推出達到國際先進水平的碳化硅G2.0技術平臺，以更先進的8英寸制造技術，“高效率、高功率密度、高可靠”的核心優勢，精準切入AI數據中心電源這一爆發式增長市場，為產業升級注入強勁動力。

芯聯集成在碳化硅業務領域已展現出強勁的增長勢頭。2024年，公司SiC MOSFET收入突破10億元，同比增長超100%。基于當前發展態勢，公司預計2025年該業務仍將實現50%以上增長。隨著AI數據中心電源需求的加速釋放，公司預計2026年在AI電源領域將實現更快增速，這一新興市場正成為推動公司碳化硅業務持續增長的重要引擎。

市場拐點顯現：AI數據中心電源成SiC下一個主戰場

隨著大模型訓練、自動駕駛、智能制造等應用的快速推進，全球算力需求正邁入指數級增長通道——芯聯集成董事長趙奇曾指出，此類應用的持續落地，推動對高效功率管理的需求顯著提升，直接帶動AI服務器與數據中心建設熱潮。

從行業數據來看，2025年全球AI服務器出貨量預計同比增長24.3%，相關市場規模將達到1587億美元；而作為算力建設核心區域，工信部數據顯示，截至2025年6月底，全國在用數據中心標準機架數已達1085萬架，百度、阿里等企業均啟動大規模算力集群投資計劃。

但算力的爆發背后，是能源支撐的迫切需求。正如微軟CEO納德拉公開提及的，其庫房中堆積的英偉達GPU芯片因缺乏足夠能源支撐機房建設暫未投入使用，這一現象折射出“算力-能源”協同的緊迫性。從硬件端看，英偉達等芯片廠商推出的新一代算力平臺，單芯片功耗已突破2000瓦，較上一代提升近1倍；而基于該架構的AI服務器機架，機架功率需求更是向240千瓦乃至更高邁進。

傳統電源方案在此背景下盡顯局限：一方面，硅基器件開關損耗高，在高功率密度場景下，硅基方案效率與散熱瓶頸凸顯；另一方面，硅基器件散熱性能弱，需配備龐大散熱系統，不僅占用機房空間，還推高數據中心PUE（能源使用效率）；同時，傳統低壓架構（12V/48V）在高功率傳輸中線路損耗大，無法適配下一代高壓直流（HVDC）供電體系，成為算力密度提升的關鍵瓶頸。

正是在此需求下，碳化硅材料憑借高導熱系數、高擊穿電壓、快速開關速度等優異特性，成為解決AI數據中心電源效率與散熱瓶頸的核心方案。從實際應用效果來看，碳化硅的這些特性能夠顯著提升電源轉換效率、優化散熱結構并適配高壓架構，有效降低數據中心的運營成本和PUE值。

芯聯集成董事長趙奇進一步指出，新能源汽車不再是碳化硅MOSFET的單一主要應用市場，下一個大的應用領域將是AI——數據中心電源系統的高質量和高可靠性要求與汽車行業高度契合，而芯聯集成在新能源汽車領域已實現SiC MOSFET總計裝車量超100萬臺，車規功率模塊裝車量超200萬臺，這種超百萬輛的量產經驗，使其在數據中心電源領域具備確定性增長機會。也正是在這一市場背景下，芯聯集成推出碳化硅G2.0技術平臺，可完美適配固態變壓器（SST）、高壓直流（HVDC）等AI數據中心電源需求，恰是順應產業趨勢的關鍵布局。

技術突破引領：碳化硅G2.0平臺核心優勢

作為芯聯集成面向新能源與AI雙賽道的戰略級產品，碳化硅G2.0技術平臺采用8英寸更先進的技術，通過器件結構與工藝制程的雙重優化，實現了核心性能的全面躍升，達到國際同類技術最前沿水平。該平臺全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景，可廣泛適用于新能源汽車主驅、車載電源及AI數據中心電源等廣闊市場。

在核心性能指標上，G2.0平臺電源版針對性優化寄生電容設計，通過封裝優化強化散熱，開關損耗降低高達30%，同時具備強化的動態可靠性設計，完美適配固態變壓器（SST）、高壓直流（HVDC）等AI數據中心電源核心需求。針對AI服務器電源高頻化發展趨勢，平臺專門衍生了高頻碳化硅器件系列，可顯著提升電源轉換效率與系統功率密度，為18千瓦乃至更高功率的PSU產品提供關鍵支撐。

在成本與可靠性平衡上，G2.0平臺繼承了芯聯集成在車規級領域的嚴苛標準，在滿足AECQ101和AQG324認證基礎上，進一步從時間、電壓應力、溫度應力三個維度加嚴考核，充分保障數據中心電源長期運行的穩定性。同時，依托8英寸產線的規模化生產優勢，平臺實現了單位成本的精準控制，為碳化硅技術在AI數據中心的大規模普及奠定基礎。

全鏈布局蓄力：芯聯集成的AI電源增量空間與核心底氣

碳化硅G2.0技術平臺的性能突破，并非孤立的技術成果，而是芯聯集成在AI數據中心電源領域長期戰略布局的關鍵落子。若說G2.0平臺為公司叩開了AI電源高增長市場的大門，那么其圍繞“器件-方案-生態”構建的全鏈條能力，則是將技術優勢轉化為市場增量、支撐長期發展的核心支柱。為充分挖掘AI數據中心電源的爆發潛力，公司早已跳出單一器件供給的局限，從產品矩陣、場景適配到產業協同多維度發力，搭建起堅實的增量引擎。

多維布局構建增量引擎

在AI數據中心電源領域，芯聯集成已構建起覆蓋“功率器件-磁器件-驅動IC-MCU”的一站式芯片系統代工解決方案，相關產品占到服務器電源BOM成本的50%以上，形成了顯著的產品協同優勢。

產品布局上，除碳化硅G2.0平臺外，公司還搭建了完整的功率器件矩陣：氮化鎵領域推出40V-650V多規格器件；低壓MOSFET實現25V-200V全系列覆蓋，性能參數比肩歐美主流廠商；同時配套提供定制化、低損耗的磁器件，以及55nm/40nm工藝的MCU定制化開發服務，可全面適配現階段三級電源架構及下一代HVDC、SST架構。

市場拓展方面，公司8英寸SiC MOSFET器件已送樣歐美AI公司，依托服務歐洲車企積累的客戶資源與渠道優勢，商業化落地進程正在加速。隨著AI服務器電源需求的爆發式增長，公司預計該領域將實現高于碳化硅整體業務的增速發展，成為繼新能源汽車之后的核心營收增長點。

此外，通過與豫信電科、超聚變等企業的戰略合作，公司正深度切入算力基礎設施產業鏈，推動電源模塊產品產業化落地，打開長期增長空間。

核心能力支撐戰略落地

芯聯集成之所以能在AI數據中心電源賽道快速突破，源于其在技術、產能、生態三大維度的深厚積累：

技術層面，公司已完成四代碳化硅MOSFET產品技術迭代及溝槽型產品技術儲備，良率和性能參數達到世界先進水平。車規級領域百萬輛級的量產經驗，形成了可遷移的高可靠性設計、測試驗證體系，使公司能夠快速響應數據中心電源對穩定性和長壽命的嚴苛要求。截至目前，公司在功率半導體相關領域的專利申請已超過1100件（截至2025年上半年末），為技術創新提供堅實保障。

產能層面，國內首條8英寸碳化硅 MOS產線已實現批量量產，當前產能達到2000片/月，且生產線利用率接近滿產狀態。8英寸產線不僅使單位成本降低30%-40%，更通過更大晶圓尺寸提升生產效率，能夠滿足AI服務器電源規模化應用的產能需求。同時，公司與國內頭部襯底、外延廠商深度合作，共同推動8英寸產業鏈成熟，實現全鏈條自主可控。

生態層面，公司構建了“聯合定義、協同研發、風險共擔”的深度綁定模式。在AI領域，芯聯集成與超聚變設立聯合實驗室，聚焦AI服務器電源管理芯片研發；在供應鏈端，建立符合車規級標準的供應商管理準入體系，與國內外主流供應商形成緊密戰略合作；在技術協同上，通過專利共享、聯合研發等方式，降低產業鏈整體研發風險，提升技術落地效率。這種開放協同的生態布局，使公司能夠快速響應AI行業的技術迭代需求。

結語：技術賦能產業，創新決勝未來

隨著“算力-能源”深度融合趨勢的加劇，AI數據中心電源的高效化、高壓化、高功率密度轉型已成為必然。芯聯集成碳化硅G2.0技術平臺的推出，不僅展現了公司在第三代半導體領域的技術引領地位，更精準把握了產業升級的核心機遇。

依托全鏈條技術能力、規模化產能保障與開放協同的生態布局，芯聯集成正從新能源汽車功率半導體領軍者，向AI數據中心電源核心解決方案提供商跨越，在助力中國算力產業高質量發展的同時，也將持續釋放“新能源+AI”雙賽道的增長潛力，書寫半導體產業創新發展的新篇章。