IT之家 9 月 5 日消息，中微半導體設備（上海）股份有限公司在 CSEAC 2025 第十三屆半導體設備與核心部件及材料展上發布了六款半導體設備新產品，覆蓋刻蝕 / 蝕刻、原子層沉積 (ALD) 及外延工藝。

中微公司此次帶來了新一代極高深寬比等離子體刻蝕設備 —— CCP 電容性高能等離子體刻蝕機 Primo UD-RIE。

這一機臺基于成熟的 Primo HD-RIE 設計架構全面升級而來，擁有六個單反應臺反應腔，配備更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，具有更高離子轟擊能量，能滿足極高深寬比刻蝕對精度和生產效率的嚴苛要求。

Primo UD-RIE 刻蝕機還引入了自研動態邊緣阻抗調節系統、上電極多區溫控系統、溫度可切換多區控溫靜電吸盤、和主動控溫邊緣組件等創新技術，改進了晶圓邊緣刻蝕良率。

▲ Primo UD-RIE

中微公司在刻蝕領域還有另一款新品亮相，這就是 Primo Menova 12 英寸 ICP 單腔刻蝕設備，其專注于金屬刻蝕尤其是鋁線鋁塊刻蝕領域，廣泛適用于功率半導體、存儲器件及先進邏輯芯片制造。

▲ Primo Menova

在 ALD 原子層沉積方面，中微公司帶來了三種不同版本的 12 英寸原子層沉積設備 Preforma Uniflash 金屬柵，包含 TiN / TiAl / TaN 三個分支，能滿足先進邏輯與先進存儲器件在金屬柵方面的應用需求。

Preforma Uniflash 系列產品采用中微公司獨創的雙反應臺設計，系統可靈活配置多達五個雙反應臺反應腔，助力實現業界領先的生產效率。

▲ Preforma Uniflash 金屬柵系列

而對于 EPI 外延，中微公司則端出了全球首款雙腔減壓外延設備 PRIMIO Epita RP。該機臺擁有全球最小反應腔體積且可靈活配置多至 6 個反應腔，能降低消耗品用量、壓低生產成本、提升生產效率。

▲ PRIMIO Epita RP