近日有報道稱，Rapidus已完成2nm GAA測試芯片流片，計劃2027年實現量產。Rapidus表示，位于日本北海道千歲市的創新集成制造工廠（IIM-1）的的月產能約為25000片晶圓，并通過更快的生產周期及靈活性來吸引客戶。

據Wccftech報道，有業內人士透露，Rapidus已經準備了名為“2HP”的尖端2nm工藝，邏輯密度達到了237.31 MTr/mm2，與臺積電（TSMC）N2的236.17 MTr/mm2相當，兩者都屬于高密度單元庫。

相比于英特爾的Intel 18A（184.21 MTr/mm2），Rapidus有著明顯的優勢。原因是英特爾加入了背面供電（BSPDN），占用了前端金屬層的一部分，從而降低了密度。另外還有一點，英特爾更重視每瓦性能而不是原始密度，因此更高的邏輯密度并不是英特爾的主要目標，特別是Intel 18A更多地是用于內部設計的芯片。

臺積電將在今年第四季度將量產2nm工藝，預計Rapidus將落后臺積電1到2個制程節點。Rapidus希望實現差異化，提升競爭力，為此提出了完全單晶圓概念，周轉時間僅為50天，而傳統的批量-單晶圓混合工藝通常需要約120天。對于要加速生產的特定需求產品，Rapidus承諾2nm制程節點上實現15天晶圓交付，這是行業內以往從來沒有過的速度。

Rapidus計劃在2026年第一季度向客戶提供2nm PDK，目前看起來前景不錯。