近日，注意到，有日媒報道稱， 日本沖繩科學技術大學院大學開發出一項技術，旨在顯著減少制造尖端半導體所必需的極紫外線（EUV）光刻設備的能耗與制造成本。該創新成果由該校新竹積教授領銜研發，其核心在于將EUV光刻路徑中的反光鏡數量從傳統的10個精簡至4個，從而有效降低了EUV光源的能量損耗。

當前，全球EUV光刻設備市場主要由荷蘭ASML公司壟斷，其設備通過復雜的10鏡反射系統實現EUV光到晶圓的高精度轉印，但過程中EUV能量損失嚴重，僅約1%最終抵達晶圓。相比之下，新技術通過減少反光鏡數量至4個，顯著提升了能量傳輸效率，使得超過10%的EUV能量能夠直接作用于晶圓，整體耗電量因此降低至原設備的約十分之一。

此外，新技術還簡化了設備結構，預期能夠大幅降低設備的制造成本，估計原本約200億日元的設備引入費用有望減半。為驗證這一技術的可行性與效果，沖繩科學技術大學院大學計劃首先使用發光二極管（LED）在縮小至實際設備二分之一大小的模型上進行初步測試，隨后自2025年起轉用EUV光源進行深入驗證。

新竹積教授表示期望與企業界攜手合作，力爭最早在2026年成功研發并推出首臺采用該新技術的EUV光刻設備。