Intel CEO近日在財報電話會議上宣布，該公司成功接收了全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。

High NA EUV光刻機是當前最先進的芯片制造設備之一，其分辨率高達8納米，能顯著提升芯片的晶體管密度和性能。該設備是實現2nm以下先進制程大規模量產的重要工具。

帕特·基辛格表示，這臺第二臺High NA EUV光刻機將很快進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，并有望支持公司生產新一代更強大的計算機芯片。

此前，Intel已在去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻機，并在俄勒岡州晶圓廠完成了組裝。此次引入第二臺設備將進一步增強Intel在高端芯片制造領域的競爭力，并有可能幫助公司在2025年超越臺積電等競爭對手。

High NA EUV光刻機的引入是Intel "IDM 2.0"戰略的一部分，該戰略旨在通過技術創新和工藝提升，重新確立Intel在全球半導體產業的領導地位。

Intel計劃在2027年前將High NA EUV技術應用于商業生產，并預計到2030年實現代工業務收支平衡。這一舉措對于推動行業的發展以及提高產品性能具有重要意義。