3 月 27 日消息，在 SEMICON China 2025 展會期間，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布其自主研發的 12 英寸晶圓邊緣刻蝕設備 Primo Halona 正式發布。

中微公司介紹稱，此款 12 英寸邊緣刻蝕設備 Primo Halona 采用其特色的雙反應臺設計，可靈活配置最多三個雙反應臺的反應腔，且每個反應腔均能同時加工兩片晶圓，在保證較低生產成本的同時，滿足晶圓邊緣刻蝕的量產需求，從而實現更高的產出密度，提升生產效率。

此外，設備腔體均搭載 Quadra-arm 機械臂，精準靈活，腔體內部采用抗腐蝕材料設計，可抵抗鹵素氣體腐蝕，為設備的穩定性與耐久性提供保證。

中微公司表示，Primo Halona 配備獨特的自對準安裝設計方案，不僅可提高上下極板的對中精度和平行度，還可有效減少因校準安裝帶來的停機維護時間，從而幫助客戶優化產能，精益生產。

在設備智能化方面，Primo Halona 提供可選裝的集成量測模塊，客戶通過該量測模板可實現本地實時膜厚量測，一鍵式實現晶圓傳送的補償校準，實現更好的產品維護性，大大提升后期維護效率。

近日，中微公司宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度，ICP 雙反應臺刻蝕機 Primo Twin-Star 又取得新的突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到 0.2A（亞埃級）。

據介紹，這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等于硅原子直徑 2.5 埃的十分之一，是人類頭發絲平均直徑 100 微米的 500 萬分之一。