3 月 17 日消息，據銀川經濟技術開發區管理委員會消息，3 月 15 日上午，由中國電工技術學會主持召開，銀川經開區企業寧夏超導泛半導體科技有限責任公司牽頭組織的“高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用科技成果鑒定會”在銀川舉辦。

鑒定會上，中國科學院院士甘子釗領銜的專家委員會對項目進行了全面評估，一致認為該項目顛覆了傳統磁拉單晶技術，解決了多項硅單晶生長分析與控制等關鍵技術難題，填補了我國在高端硅晶體制造領域的多項空白，綜合性能達到國際領先水平。

據介紹，高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用的關鍵在于引入高溫超導磁體技術。科研團隊針對高品質大尺寸硅單晶生長技術瓶頸，研制出高溫超導磁控硅單晶生長裝備，另外公司自主研發的高溫超導磁控硅單晶生長設備及技術可將硅片含氧量穩定控制在 5ppma 以下，硅棒頭尾利用率提升 4% 以上，生產效率提升 12%，目前已拉出直徑達 340mm 的高品質硅棒。

從銀川經濟技術開發區管理委員會獲悉，大尺寸硅單晶長棒快速、高穩定性、低含氧量的生長，能直接解決大尺寸 (12 英寸以上) 高品質硅單晶的低成本、規模化生產，從而實現全產業鏈降本增效、技術迭代。項目報告顯示，寧夏超導泛科技自主研發的高溫超導磁控硅單晶生長設備及技術，可將硅片含氧量穩定控制在 5ppma（質量百萬分比）以下，硅棒頭尾利用率提升 4% 以上，生產效率提升 12%，目前已拉出直徑達 340 毫米的高品質硅棒。

中國科學院院士甘子釗表示：“這是國際上首次將高溫超導技術應用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術產業化做了很多開創性的工作，開辟了超導技術產業化新賽道。”