3月13日消息，據(jù)韓國媒體報道，三星電子已于本月初在其華城園區(qū)引入首臺ASML生產(chǎn)的High-NA EUV光刻機(jī)——EXE:5000，價值高達(dá)5000億韓元（約合24.88億元人民幣）。

ASML是目前全球唯一能夠提供此類設(shè)備的供應(yīng)商，其通過增大透鏡和反射鏡尺寸，將數(shù)值孔徑（NA）從0.33提升至0.55，顯著提高了光刻精度，是2nm及以下制程的必備工具。

與現(xiàn)有EUV設(shè)備相比，High-NA EUV能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升數(shù)據(jù)處理速度。

三星電子計劃在完成設(shè)備安裝后，全面構(gòu)建2nm工藝生態(tài)系統(tǒng)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人強(qiáng)調(diào)，盡管公司在GAA工藝轉(zhuǎn)換上領(lǐng)先，但在商業(yè)化方面仍需加速，2nm工藝的快速量產(chǎn)是其首要任務(wù)。

TrendForce數(shù)據(jù)顯示，三星在2023年第四季度全球晶圓代工市場排名第二，但其收入環(huán)比下降1.4%，市場份額僅為8.1%。

相比之下，臺積電以67%的市場份額保持領(lǐng)先地位，此次引入High-NA EUV光刻機(jī)，三星有望加速其在先進(jìn)制程上的商業(yè)化進(jìn)程。