3 月 11 日消息，美光（Micron）于今年 2 月向英特爾（Intel）和 AMD 等客戶交付 1γ（gamma）DDR5 樣品，成為內存行業中首家實現這一突破的企業。

韓媒 chosun 昨日（3 月 10 日）發布博文，報道稱美光在交付的樣品中，其中只有一層使用極紫外光刻（EUV）設備，公司計劃通過減少 EUV 的使用，來加速量產尖端 DRAM。

援引博文介紹，美光選擇減少對 EUV 的依賴，轉而更多采用成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）工藝。

根據 ASML 的數據，下一代深紫外光刻（DUV）系統使用 193 納米波長的氬氟激光，可實現 38 納米特征尺寸的打印；而 EUV 光刻使用 13.5 納米波長的光，精度更高，但成本也更高。

美光表示，EUV 技術尚未完全穩定，因此僅在必要時使用，這一策略短期內可能提升量產速度，但長期來看，可能影響芯片的良率和性能。

與美光不同，三星和 SK 海力士在 DRAM 技術發展中更依賴 EUV 層。三星自 2020 年起在內存生產中采用 EUV，計劃在其第 6 代 10 納米 DRAM（1c）中應用超過 5 個 EUV 層。SK 海力士也在 2021 年引入 EUV 設備，并計劃在下一代 1c DRAM 中采用類似策略。

盡管美光減少對 EUV 的依賴可能短期內節省成本，但長期可能面臨技術瓶頸。行業人士指出，ArFi 工藝需要更多步驟，可能導致良率下降。隨著 EUV 層數的增加，尤其是超過三層后，技術難度將顯著加大。