8 月 1 日消息，SK 海力士今天（8 月 1 日）發(fā)布博文，宣布將出席 8 月 6 日至 8 日，在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的全球半導(dǎo)體存儲器峰會 FMS 2024，展示諸多新一代產(chǎn)品。

未來存儲器和存儲峰會（Future Memory and Storage）簡介

前身是主要面向 NAND 供應(yīng)商的閃存峰會（Flash Memory Summit），在人工智能技術(shù)日益受到關(guān)注的背景下，今年重新命名為未來存儲器和存儲峰會（Future Memory and Storage），以邀請 DRAM 和存儲供應(yīng)商等更多參與者。

新產(chǎn)品

SK 海力士去年在 FMS 活動中宣布開發(fā)出業(yè)界最高的 321 層 NAND，今年也將展示諸多 AI 領(lǐng)域的新產(chǎn)品，包括 12 層 HBM3E（預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)）和 321-high NAND（明年上半年開始出貨）。附上 SK海力士即將展示的新產(chǎn)品如下：

從左上開始，順時針依次為 321 層 NAND 閃存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

從左上開始，順時針依次為 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM演講

SK hynix HBM 工藝集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 將在活動開幕式上發(fā)表題為《人工智能時代的 AI 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)力與愿景》的主題演講。

兩位高管將分別介紹公司的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組合，以及為實(shí)現(xiàn)人工智能而優(yōu)化的人工智能內(nèi)存解決方案。