7月29日消息，據(jù)蘇州國芯科技官網(wǎng)介紹，近日，由國芯科技研發(fā)的新一代汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT流片和測試成功。

據(jù)悉，國芯科技本次內(nèi)部測試成功的汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT是基于公司自主PowerPC架構(gòu)C*Core CPU內(nèi)核研發(fā)的新一代多核MCU芯片。

適用于智能化汽車輔助駕駛、智能座艙以及高集成度域控制器等應(yīng)用，可以更好地滿足客戶更高算力、更高信息安全等級和更高功能安全等級的應(yīng)用需求。

該芯片基于40nm eFlash工藝開發(fā)和生產(chǎn)，內(nèi)嵌10個運(yùn)算CPU核C3007，其中包括6個主核和4個鎖步核，該CPU核流水線采用雙發(fā)射，DMIPS性能達(dá)到2.29/MHz，相比同系列的CCFC3007PT芯片單個內(nèi)核性能提升了20%。

該芯片內(nèi)嵌硬件安全HSM模塊，支持Crypto/SM2/AES/SM4等國際和國密算法，可以支持安全啟動和OTA。

芯片內(nèi)嵌多種獨(dú)立的汽車標(biāo)準(zhǔn)通訊接口，主要包括：支持TSN協(xié)議100M/1000M 以太網(wǎng)接口（1路）、FlexRay（2路）、Lin（12路，支持LIN和UART）、CANFD(12路）以及對外控制接口eMIOS（32通道）、最新版本的通用時序處理單元GTM4（96通道）、串行通訊接口DSPI（22路，支持4路MSC）。

該芯片還配置了較大容量的存儲空間，其中程序存儲Flash最高配置可達(dá)16.5M字節(jié)，數(shù)據(jù)存儲最高配置Flash最高可達(dá)1M字節(jié)，內(nèi)存空間（SRAM）最高配置可達(dá)2.4M字節(jié)，具備SDADC（14個）, SARADC(13個)控制電路。

本次內(nèi)部測試成功的汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT按照汽車電子Grade1等級、信息安全Evita-Full等級、功能安全ASIL-D等級進(jìn)行設(shè)計和生產(chǎn)，具備高可靠性和高安全性，可以應(yīng)用于苛刻的使用場景，從而增加了該產(chǎn)品的應(yīng)用覆蓋面。

該產(chǎn)品的封裝形式包括BGA516/BGA292等，該芯片可對標(biāo)英飛凌已廣泛應(yīng)用于自動駕駛、智能座艙和高集成區(qū)域控制的TC397/TC399系列MCU芯片，可以作為汽車智能化輔助駕駛、智能座艙和高集成區(qū)域控制領(lǐng)域的功能安全和信息融合處理的MCU芯片。