SK海力士公司近日宣布開始量產全球最高級別的321層1Tb（太字節）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存。與上一代產品相比，這款新型閃存的數據傳輸速度和讀取性能分別提升了12%和13%，同時數據讀取的能效也提高了超過10%。

SK海力士表示，他們從2023年6月起開始供應目前市場上的最高級別的上一代238層NAND閃存產品，并計劃于明年上半年向客戶供應321層的產品來滿足市場需求。

在開發這款新型閃存的過程中，SK海力士的技術團隊采用了高效的“3-Plug”工藝技術，克服了堆疊方面的局限。該技術通過將通孔工藝流程分為三次進行，隨后經過優化的后續工藝將三個通孔進行電氣連接。在這一過程中，他們開發出低變形材料，并引入了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術。

值得一提的是，SK海力士的技術團隊還使用了上一代238層NAND閃存的開發平臺來開發321層的產品。通過最大限度地減少工藝變化，與上一代相比，他們的生產效率提高了59%。