11 月 20 日消息，三星電子韓國當?shù)貢r間本月 18 日舉行了位于器興園區(qū)的 NRD-K 新半導體研發(fā)綜合體的進機儀式，標志著這一 2022 年動工的研發(fā)中心開始設備安裝。

NRD-K 半導體研發(fā)綜合體占地面積 10.9 萬平方米，將成為三星電子 DS 部下屬三大事業(yè)部（存儲器、系統(tǒng) LSI 和 Foundry）的共同核心研發(fā)基地，到 2030 年這一項目將累計獲得約 20 萬億韓元（備注：當前約 1039.2 億元人民幣）的投資。

NRD-K 還將包含一條研發(fā)專用線，該產線將于 2025 年中投入使用。

▲ NRD-K 工地。圖源三星電子官網，下同

NRD-K 綜合體將導入 ASML High NA EUV 光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具，旨在加速 3D DRAM、千層 V-NAND 在內的下代存儲芯片開發(fā)，還將建設 WoW 晶圓鍵合基礎設施。

三星 DS 部負責人全永鉉在儀式上表示：

通過 NRD-K，我們將建立從基礎研究到量產的下一代半導體技術的良性循環(huán)體系，從而大幅提高開發(fā)速度。

我們將從三星電子半導體 50 年歷史的起點器興出發(fā)，為實現(xiàn)新的飛躍奠定基礎，并創(chuàng)造新的百年未來。

▲ 正在演講的全永鉉