近日，有消息透露稱蘋果公司正醞釀在2026年推出的iPhone產(chǎn)品中使用QLC NAND(四層單元閃存)技術(shù)，此舉將使iPhone的存儲(chǔ)上限提升至2TB，但是QLC NAND的讀寫速度低于TLC NAND，且耐用性較差，寫入周期較TLC少。但在存儲(chǔ)容量方面，QLC NAND具有明顯優(yōu)勢(shì)，如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計(jì)劃，一些高容量版本的iPhone 用戶可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。

QLC NAND相較于當(dāng)前iPhone使用的TLC NAND(三層單元閃存)，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4bit數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)密度提高33%。這一升級(jí)將為用戶提供更大的存儲(chǔ)空間。

QLC NAND主要用于入門級(jí)消費(fèi)者和大容量存儲(chǔ)應(yīng)用。雖然其耐久度相對(duì)較低，但足以滿足日常使用需求，使得固態(tài)在更廣泛的用戶群體中普及。

據(jù)了解，蘋果公司還在研究如何利用NAND存儲(chǔ)大型語言模型(LLMs)，以便在本地運(yùn)行更多AI任務(wù)。采用QLC NAND可能有助于提升Apple ligence的性能表現(xiàn)。