毫不客氣的說，目前在所有的芯片制造設備中，光刻機是最重要的設備，沒有之一。同時也是中國最被卡脖子的設備，沒有之一。

為何這么說，因為目前全球光刻機廠商，僅4家企業能制造，且被ASML壟斷，特別是EUV、浸潤式DUV這些高端光刻機，完全是ASML說了算。

當然，光刻機的技術，也是不斷演進的，并且是和工藝對應的。

如下圖所示，這是目前光刻機的發展趨勢，和相對應的代數，第一代是G線，第二代是I線，再是KrF、ArF、ArFi、EUV這么6代。

第一代光刻機，對應著不同的芯片制造工藝，比如EUV光刻機，用于7nm芯片以下，浸潤式DUV，最高能到7nm……

那到問題就來了，國產光刻機，達到了什么水平？

上海微電子的光刻機，在其官網上是有公開的，之前公開的是一臺分辨率為90nm的光刻機，屬于ArF，也就是第四代，采用193nnm波長的光源，干式DUV光刻機。

而前段時間，國家權威機構，又公布了另外一臺國產光刻機，分辨率是65nm，套刻精度是8nm，這個還是一臺ArF光刻機，也是干式DUV光刻機。

從這臺光刻機，我們可以判斷出，其實國產光刻機，雖然還是落后ASML10多年，但是離浸潤式DUV光刻機，其實只差最后一步了。

從上面的技術演進圖其實也可以看到，ArF最高能夠支持到65nm工藝，而這臺國產光刻機，分辨率就是65nm，很明顯就是貼近極限值的。

另外，浸潤式DUV,和干式DUV，其中最大的區別，就是在晶圓前面，加了一層介質水。

干式DUV采用的是空氣作為光線傳播的介質，浸潤式DUV采用的是水來做光線傳播的介質，而光線在水中產生折射，193nm波長的光源，折射后等效成13nm了，波長更短，于是分辨率更高了。

所以干式DUV（ArF）和浸潤式DUV（ArFi）的區別，只是在工作臺上面，加了一層浸潤式系統，也就是一層水，其它的是共用的，而浸潤式系統的技術難度，并不是特別高。

所以這臺國產65nm的光刻機，其實已經是干式DUV的極限了，也是ArFi（浸潤式DUV光刻機）之前的最后一臺，接下來只要攻克了浸潤式系統，就進入了浸潤式光刻機。

所以說，接下來，不出意外的話，國產光刻機，將很快跨進浸潤式階段，一旦進入浸潤式光刻機，那么利用它，可以實現7nm芯片的全部自給，對外依賴程度將大大降低。

到時候不管是ASML，還是美國，想要卡我們芯片產業的脖子，也就越來越難了，因為浸潤式光刻機，如果發揮出極限，不僅僅是7nm芯片制造，5nm也是有可能的。