10 月 9 日消息，ASML 新任 CEO 傅恪禮（Christophe Fouquet）出席 SPIE 大會并發(fā)表演講，重點介紹了 High NA EUV 光刻機。

他提到，High NA EUV 光刻機不太可能像最初的 EUV 光刻機那樣出現(xiàn)延遲。傅恪禮還談到了組裝掃描儀子組件的新方法，即直接在客戶工廠安裝，無需經(jīng)歷拆卸及再組裝的過程。這將大大節(jié)省 ASML 與客戶之間的時間和成本，有助于加快 High NA EUV 光刻機的發(fā)的和交付。

緊隨其后上臺的是英特爾院士兼光刻總監(jiān) Mark Phillips，他表示英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成了兩臺 High NA 光刻系統(tǒng)的安裝，而且他還公布了一些資料，表明 High NA EUV 相對于標(biāo)準(zhǔn) EUV 光刻機所帶來的改進(jìn)可能要比之前想象中還要多。

▲ 首臺 High NA EUV 照片，圖源：英特爾

他表示，由于已經(jīng)有了經(jīng)驗，第二套 High NA EUV 光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一個還要更快。據(jù)稱，High NA 所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運行。用于 High NA 的光刻掩模檢測工作已經(jīng)按計劃開始進(jìn)行。因此，英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。

Mark 還被問到了關(guān)于 CAR（化學(xué)放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問題，他表示 CAR 目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光刻膠。英特爾目標(biāo)插入點是 Intel 14A 工藝（注：預(yù)計 2026~2027 年量產(chǎn)），這可能比預(yù)期的要更快。