佳能宣布向總部位于美國(guó)得克薩斯州的半導(dǎo)體聯(lián)盟得克薩斯電子研究所（TIE）交付先進(jìn)的納米壓印光刻N(yùn)IL系統(tǒng)FPA-1200NZ2C。該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)最小14nm線寬的圖案化，支持5nm制程邏輯半導(dǎo)體生產(chǎn)，并將在TIE用于先進(jìn)半導(dǎo)體的研發(fā)和原型的生產(chǎn)。

傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過(guò)將高能光線投射到涂有光刻膠的晶圓上來(lái)塑造電路圖形，而佳能FPA-1200NZ2C系統(tǒng)則通過(guò)將印有電路圖形的掩模像印章一樣壓入晶圓上的光刻膠內(nèi)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程。由于其電路圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程不經(jīng)過(guò)光學(xué)步驟，NIL光刻設(shè)備可以在晶圓上忠實(shí)再現(xiàn)掩模中的精細(xì)電路圖形。此外，NIL光刻設(shè)備還具有低功耗低成本的優(yōu)勢(shì)。

佳能押注“納米壓印”技術(shù)，在價(jià)格方面相比ASML EUV光刻機(jī)更具競(jìng)爭(zhēng)力。佳能表示，他們的目標(biāo)是最快在今年開(kāi)始交付低成本納米壓印光刻設(shè)備，并希望能夠幫助解決與先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)相關(guān)的問(wèn)題。