可替代EUV光刻機 工藝直逼1.4nm 日本開發全新納米壓印技術
1.4nm制程!納米壓印技術突破
日企開發出1/10電量制造1.4納米半導體的技術
新勢力純電“高爾夫”零跑Lafa5內飾官圖發布:戰斗感
傳統的光刻設備通過將高能光線投射到涂有光刻膠的晶圓上來塑造電路圖形,而佳能FPA-1200NZ2C系統則通過將印有電路圖形的掩模像印章一樣壓入晶圓上的光刻膠內來實現這一過程。佳能表示,他們的目標是最快在今年…
9 月 27日消息,佳能日本東京當地時間昨日宣布,將在同日向總部位于美國得克薩斯州的半導體聯盟得克薩斯電子研究所(TIE)交付佳能最先進的納米壓印光刻NIL 系統 FPA-1200NZ2C。該設…
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