有人認為，制造7nm芯片，必須用到EUV光刻機。

也有人認為，制造7nm的芯片，可以用DUV光刻機，畢竟積電當年曾經用浸潤式光刻機，多重曝光后，生產過7nm芯片。

臺積電第一代7nm就是DUV光刻機制造的，第二代才換成EUV，所以第二代7nm工藝，臺積電還稱之為7nm EUV。

為什么大家要討論這個呢？原因在于我們目前買不到EUV光刻機，因為美國不準ASML賣給中國，而全球僅有ASML能制造EUV光刻機。

所以大家覺得沒有EUV光刻機，我們的芯片工藝，可能會止步于7nm。

那么問題來了，既然用DUV光刻機，能制造7nm芯片，那能不能再進一步，制造5nm芯片？

事實上也能，比利時微電子研究中心（IMEC），在去年的的時候，就發布了浸潤式光刻機借助八重曝光做5nm的技術方案。

那如何來制造，和利用DUV光刻機，制造7nm芯片一樣，采用多重曝光技術即可。目前多重曝光技術，還有很多種，常見的有LELE、LFLE、SADP。

所謂多重曝光，簡單的來講，就是以有一次光刻機，就將電路圖刻上去了。而多重曝光，則是采用多次光刻，將電路圖分解，最后組合。

而多重曝光最重要的就是套刻精度（Overlay），它決定了芯片上下層的對準精度，進而決定了多重曝光的良率。

舉個有一點類似例子，一個“正”字，一次光刻的時候，表示一次性將“正”寫刻出來，但要將“正”刻到足夠小，一次性不行，那就分成多次來刻，先橫，再豎，再橫……但這中間很重要的是，這么多次來刻的時候，組合后還是一個字，不能有偏移。

理論上來講，只要套刻精度夠，利用DUV光刻機，還能進一步的往5nm以下發展，3nm，2nm在理論上都是有可能的。

但是通過多次曝光后，芯片制造效率非常低，你想一想，原來一次就能光刻出來的芯片，要光刻多次了，速度不是慢了好幾倍？成本不是就高了？

另外套刻精度是一件非常麻煩的事情，因為沒有誰能保證誤差等于0，而誤差大會導致壞的晶圓非常多，于是良率會降低，據稱臺積電用DUV制造7nm芯片時，良率也只有80%，如果臺積電用DUV制造5nm，估計良率不會高于50%……

所以，在有EUV光刻機的前提之下，沒誰還用DUV來制造5nm芯片，那就傻子才干的事情。

就算是我們，沒有EUV光刻機，估計也不會真的用DUV來制造5nm芯片，因為沒有什么必要，成本高到無法商用，市場不會買單。

所以，大家就不要天天想著用用DUV光刻機，來制造5nm芯片了，就算制造的出來，也無法市場化，這是不現實的，還是想想另外的招吧，你覺得呢？