8 月 26 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，SK 海力士將于 2024 年內(nèi)先后流片為英偉達(dá)和 AMD 兩大客戶開發(fā)的 HBM4 內(nèi)存。

消息人士向韓媒表示，SK 海力士已為這兩家主要 HBM 內(nèi)存客戶組建了 HBM4 內(nèi)存開發(fā)團(tuán)隊(duì)。英偉達(dá)用 HBM4 將率先于今年 10 月進(jìn)行流片，而向 AMD 供應(yīng)的 HBM4 也將在今年底流片。

報道還表示，雖然三星電子計劃在 HBM4 內(nèi)存上直接應(yīng)用 1c nm DRAM 以提升能效競爭力，但 SK 海力士為穩(wěn)定起見將在 HBM4 沿用已在 HBM3E 中得到檢驗(yàn)的 1b nm DRAM 裸片。

▲SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品

而在 HBM4 的基礎(chǔ)裸片（base Die，也稱邏輯芯片、接口芯片）部分，SK 海力士將采用臺積電提供的 N12FFC+ 平價產(chǎn)品和 N5 高性能產(chǎn)品。

此外韓媒提到，英偉達(dá)預(yù)計于 2026 年發(fā)布的后 Blackwell 世代高性能 AI GPU“Rubin”將使用 12 層堆疊的 HBM4 內(nèi)存。

參考此前報道，SK 海力士在 HBM 領(lǐng)域的主要競爭者三星電子也將在 2024 年內(nèi)啟動 HBM4 內(nèi)存的流片。