記者 董溫淑

編輯 高宇雷

“不是剛需就別裝電腦。”進入12月，廣州一家裝機工作室的負責人小賴開始這樣“勸退”自己的客戶們。

他并非放著上門生意不做，而是“近幾個月來，內存、硬盤漲價太狠，直接導致整機價格上浮。有些不了解行情的客戶接受不了，聊完了以為我們DIY電腦的都是奸商。”而市場中也的確不乏企圖渾水摸魚、以次充好的商家。

凡此種種，小賴這樣的DIY服務商面臨著許多額外的比較、質疑，最后的成單概率也被拉低。

在北京朝陽區某商場一層開設門店的DL同樣發出了“生意難做”的感嘆。他告訴「電廠」，漲價迅猛勸退了他不少裝機客戶，“好在我們還有修電腦的業務（支撐）”。

身處存儲芯片分銷行業最末端，電腦DIY從業者們感覺到的市場波動，源頭來自存儲顆粒原廠的戰略調整。

大模型行業迅猛發展的背景下，作為燃料的算力芯片需要不斷提升帶寬內存，也成了云廠商加大采購的熱門方向。存儲大廠由此開始向其傾斜產能。

蝴蝶在彼岸振翅，變化一環接一環地傳導。PC、手機甚至是掃地機等各類硬件產品都面臨成本上漲，而這種態勢還將持續下去。

“漲價比黃金還猛”

瘋狂的漲價是從9月底開始的。

小賴對「電廠」回憶道，9月底左右的時候，工廠拿貨報價開始呈現漲價趨勢，價格開始抬頭。

即便如此，實際的漲幅還是超越了大部分的預期。“就拿4代內存來說，8G-3200頻率，海力士顆粒以及三星顆粒的，漲前價格平均在70每根，截止到目前12.17號平均價格在350每根，漲幅在280%左右。”小賴講道。

圖源：CFM閃存市場

他補充道，這次是全面調漲，甚至本以性價比作為核心優勢的二手拆機、舊貨翻新甚至是被戲稱為“洋垃圾”的海外流回存儲內存都迎來不同程度的漲幅。這讓許多從業者發出了“內存漲價比黃金還猛”的感嘆。

作為對比，這三個月內國際金價的漲幅也不過10%左右。

小賴所提及的第四代內存指DDR4（第四代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器），常用于PC、服務器中，在工控、安防監控等B端市場也有應用。

而這導致的結果是，裝機的門檻被整體提高。“在裝機市場，2000多元原本可以攢的入門產品，現在要3000才能配完了。”小賴這樣講道。

成本壓力之下，每個細微環節都開始尋找更多盈利空間。而普通消費者很難在短時間內參透不同渠道、環節之間的信息差。

有市場消息稱，海外電商平臺亞馬遜上已經出現通過偽造DDR5內存條出售而牟利的不法商家。該商家給成本更低的DDR2產品加上配重塊并重新包裝，偽裝為售價更高的DDR5進行出售。

如果說“裝機佬”們代表著更分散、小眾的市場需求，內存漲價的余波已在更廣泛的市場范圍內層層傳遞。

據市場消息，PC制造商戴爾已于12月17日開始啟動調價，提升所有商用PC的價格，漲幅比例將因客戶合同不同“在10%到30%之間”。

今年10月份，紅米K90發布之后引起市場熱議，消費者關注的重點在于其大內存版本相較小內存版本價差過大。如K90標準版的12GB+256GB版本定價2599元，而12GB+512GB版本定價3199元。

相比之下，K80系列同等內存的兩款產品價差為400元。K90系列高達600元的價差，被用戶質疑在“搶錢”。

最終小米集團董事長雷軍、總裁盧偉冰不得不出面回應，在解釋“內存漲價實在太多”之余，以制定首月優惠的方式平息爭議。

從存儲原廠掀起的產能切換風暴

當消費電子正面臨著存儲漲價所帶來的種種問題時，供應鏈上游的顆粒大廠，正在主動擁抱這30年難遇的“存儲超級周期”。

“現在是純粹的賣方市場、存儲的超級周期。”在某上市芯片公司任資深采購經理的吳云輝這樣對「電廠」總結道。

造就這周期的源頭，是大模型訓練必不可少“存力”產品——HBM（高帶寬內存）。

從大模型浪潮興起，英偉達所代表的算力芯片就被視為不可或缺的重要燃料，而存力則是隱于算力芯片之中的關鍵部分。

國內存算一體芯片企業億鑄科技創始人熊大鵬曾這樣解讀道：“對于大模型來說，它真正的壁壘不在摩爾定律，而在存儲墻。”比如“H200和H100在算力上提升得并不多，主要是（數據）從HBM往芯片里轉的帶寬做得更好，導致實際有效算力能夠提升60%、70%，甚至在某些情況差不多翻一倍”。

全球存儲芯片市場由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三大巨頭主導。

2023年，主流存儲顆粒DRAM（動態隨機存取存儲器芯片）、NAND（非易失性閃存存儲器）等產品還處在一輪下行周期中，但存儲原廠已嗅到HBM的風向轉變。

這一年，SK海力士作為全球首個能夠量產第五代HBM產品，首先獲得包括英偉達在內的多個客戶大單，幾乎壟斷了英偉達的相關產品訂單。

SK海力士12層第五代HBM（HBM3E）內存芯片

到年底，三星電子的相關產品進入英偉達H100供應鏈；美光則從2024年初開始大量出貨其研發的最新第五代HBM產品，同樣將英偉達發展為主要客戶。

對高端HBM產品，英偉達展現出了照單全收的態度，2024一季度，美光、SK海力士、三星電子就陸續宣布當年產能已售罄；到2024年中，SK海力士則宣布2025年的產能也已被預訂。

銷售的火熱，又刺激原廠不斷對此加大投入。三星、SK海力士在2024年將超過20%的DRAM生產線轉為HBM生產線；美光則于2024年底獲得投資，分別在愛達荷州、紐約州建設新廠。

HBM之于算力芯片的不可或缺，甚至讓存儲原廠成為少有能在英偉達面前掌握議價權的廠商——這在過去極為罕見，也正是本輪存儲周期“又急又狠”的關鍵變量。

據市場消息，2025年11月，SK海力士在與英偉達的第六代高帶寬內存供應談判中占據上風，并成功將其價格提升逾50%。

力保HBM供應的背景下，DRAM、NANA等品類本就面臨擠壓。而其中DDR正面臨換代周期，更給了原廠取舍的理由。

從2023年開始，英特爾、AMD等廠商開始在處理器中支持最新的DDR5產品，推動內存進入換代周期。

盡管DDR4仍有廣闊的存量需求，在產能受到擠壓的背景下，各大原廠在2025年初紛紛表態、選擇聚焦附加值更高的DDR5，而計劃在2025年底停止DDR4內存的生產。國產存儲大廠長鑫存儲也緊隨其后，計劃最遲于2026年上半年全面停止DDR4供貨。

這也是本輪存儲產品漲價潮中，DDR4漲勢尤為迅猛的核心原因。

存儲廠商產能拉滿，下游客戶加速切換

在半導體市場歷史中，由于技術迭代、廠家清庫存等客觀原因，每隔一段時間，存儲市場就會上演一次供應緊張、高價難求的輪回；手機等下游客戶在此時往往會加大采購、恐慌性備貨。

按照經驗，每輪周期相隔3-4年。而AI因素的加入，讓這一輪周期的持續時間面臨更多不確定性。

瑞銀Nicolas Gaudois團隊最新報告顯示，存儲行業正面臨前所未有的供需緊張局面。預計DRAM（動態隨機存取存儲器，含有DDR、SDRAM等類型）供應短缺將持續到2027年第一季度；NAND短缺情況預計延續至2026年第三季度。

在坊間，還充斥著存儲漲價將持續到2026年底、2027年中等種種猜測。面對未知，不同廠商選擇了應對方式各異。

吳云輝告訴「電廠」，DDR4是其公司多款SoC原本的標配選擇，產品漲價已經影響到其四季度SoC（系統級芯片）出貨。

“我們有一些機器人客戶，據我們統計，部分工業場景使用的DDR4型號甚至漲到了年初5-6倍的價格，帶來了很大的價格壓力，原來的定價Cover不住。DDR5也漲了，但沒這么夸張，相比低點漲到1倍、2倍，還能承受。如果到深圳一些盤商市場看，可以看到相鄰很近的不同批次產品間，也各有價差。”他講道。

即便SoC企業普遍與內存供應商簽有合同，在這種情況下，也只能是“保供貨不保價”。面對這種情況，吳云輝的公司選擇和客戶逐一協商，試圖推動將原有的DDR4產品轉換為DDR5。

另據界面新聞報道，截至11月中旬，隨著上游儲存芯片價格的瘋漲，多家手機廠商已經暫緩了本季度的存儲芯片采購。小米、OPPO、vivo等廠商庫存普遍低于兩個月，部分廠商DRAM庫存低于三周。

但觀望很難解決問題，在可見的時間里手機廠商們仍要面對原廠的高額報價與緊張排單。

“現在下單DDR5，排單估計五六個月是要的，”就職于某存儲芯片公司的Qura對「電廠」預計道，“我們的工廠已經（產能）拉滿了。”

這場全球存儲產業的步伐調整，終將傳導到每個消費者身上。

當下，部分小米在售平板電腦、榮耀平板電腦已官宣漲價消息，前者漲幅在100-300元不等。

圖源：TrendForce

另據研究機構TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，存儲器價格將在2026年第一季度將迎來顯著上漲，對智能手機與筆記本等消費終端的成本與產品策略產生實質性壓力。

具體而言，原本以內存作為重要賣點的中低端手機或將受到嚴重影響，中端機常見的12GB內存配置將“逐漸消失”。

“如果內存倒車，大家以后更沒有興趣換機了。”在一個數碼資訊論壇中，有用戶這樣講道。

（文中吳云輝、Qura為化名）