拓荊科技(688072)12月4日召開2025年第三季度業績說明會，公司針對2025年第三季度的經營成果及財務指標的具體情況與投資者進行交流。

拓荊科技一直在高端半導體設備領域深耕，并專注于薄膜沉積設備的研發和產業化應用，形成了以PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）、ALD（原子層沉積）、SACVD（次常壓化學氣相沉積）、HDPCVD（高密度等離子體增強化學氣相沉積）以及Flowable CVD（流動性化學氣相沉積）為主的薄膜設備系列產品，以及應用于三維集成領域的先進鍵合設備（包括混合鍵合、熔融鍵合設備）及配套使用的測量檢測設備系列產品，在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造及先進封裝等領域得到廣泛應用。

“公司目前主要在沈陽、上海臨港設有產業化基地，總體可支撐超過700臺套/年產能，公司正在建設沈陽二廠，將進一步擴大未來產能支撐能力。”拓荊科技在本次業績說明會上介紹，公司目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜設備系列產品及先進鍵合系列產品在存儲芯片制造領域已實現產業化應用，目前在手訂單飽滿，如果后續下游客戶進一步擴產，預計將持續拉動對該等產品的需求量。

拓荊科技稱，公司薄膜沉積系列產品仍在持續地拓展工藝并擴大量產規模，截至2025年三季度末，公司基于新型設備平臺（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反應腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO疊層）、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等先進制程的驗證機臺順利通過客戶認證，已進入規模化量產階段。

在鍵合設備方面，公司晶圓對晶圓混合鍵合設備獲得重復訂單，研發的新一代高速高精度晶圓對晶圓混合鍵合產品已發往客戶端驗證，芯片對晶圓混合鍵合設備驗證進展順利，此外，公司已完成永久鍵合后晶圓激光剝離產品。

拓荊科技認為，半導體芯片制程和技術迭代速度持續加快，行業已逐步邁入后摩爾時代，半導體領域的新結構、新材料不斷涌現，在制程層面，隨著尖端芯片技術節點逐步逼近摩爾定律極限，全環繞柵極（GAA）、背面供電等核心技術應運而生，高K（High-K）金屬柵等特殊材料的應用也愈發重要；在結構層面，數據量爆發式增長快速驅動高帶寬存儲器（HBM）向三維集成等方向演進，3D NAND FLASH芯片堆疊層數不斷提高，這一技術發展趨勢將同時拉動下游客戶對半導體設備技術和需求量的提升。

“公司將持續通過高強度的研發投入，持續深耕薄膜沉積設備和三維集成設備領域，基于原有優勢，圍繞半導體產業技術趨勢，持續拓展先進制程領域所需的新產品、新工藝、高產能設備產品，保持公司的核心競爭力。”拓荊科技表示。

在談及存儲價格上升對公司的影響時，拓荊科技表示，存儲價格上升反映出存儲芯片市場仍有較大的需求量，從中長期來看，這可能拉動存儲芯片制造廠持續擴大產能。隨著存儲芯片制程的推進及結構趨于復雜化，對先進硬掩模和關鍵介質薄膜的性能要求越來越高，同時，驅動了高帶寬存儲器（HBM）向三維集成等方向演進，3D NAND FLASH芯片堆疊層數不斷提高，這些技術發展趨勢都將大幅拉動薄膜設備的需求量。

公司擁有PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜設備系列產品以及先進鍵合系列產品，這些產品已在先進存儲芯片制造領域獲得廣泛應用，因此，下游客戶的持續擴產預計將進一步擴大該等產品的需求量。