走出14個月漫長下行周期，阿斯麥新的增長動力似乎正在浮現。

據追風交易臺消息，摩根士丹利11月26日發布的研報顯示，全球光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正迎來DRAM和先進邏輯芯片需求的雙重提振，其在2026至2027財年的增長勢頭積極。

DRAM周期強勁，EUV光刻機需求獲支撐

大摩強調，DRAM（動態隨機存取存儲器）市場的火熱需求是顯而易見的。而“阿斯麥在DRAM技術轉型中持續擁有穩固的需求”，尤其是在從1a和1b節點向1γ/1c節點的轉變過程中。

DRAM技術的迭代對光刻強度的提升至關重要。報告分析，每一次技術節點的演進都將“導致EUV光刻層數的增加。”例如，“在1c節點上，總共需要5-6個光刻層”。這凸顯了DRAM市場對EUV（極紫外光）光刻機系統持續的需求勢頭。

具體到客戶，報告認為三星和海力士在2026財年的需求“是明確的”。此外，報告補充道，商品DRAM的需求和“市場見證的強勁價格上漲”也對訂單增長有所助益。

3nm或提前落地，AI巨頭需求成關鍵催化劑

在晶圓代工領域，積極信號同樣在顯現。報告的一個關鍵發現是，“臺積電正在測試3nm的原始圖形性能，其亞利桑那州工廠的采用時間可能比最初計劃的2028年更早。”

阿斯麥受益于臺積電的3nm制程技術，因為臺積電3nm的先進工藝依賴于阿斯麥的EUV光刻機，這使得臺積電能夠生產出性能更強、功耗更低、芯片尺寸更小的芯片。

與此同時，AI的蓬勃發展正間接為ASML創造需求。報告援引了英偉達創紀錄的季度營收，其首席執行官黃仁勛在電話會議上形容市場對Blackwell系列GPU的興趣“爆表（off the chart）”。

大摩認為，這將“為ASML在2026/27財年的晶圓代工設備供應提供了支持”，因為英偉達的強勁需求預計將推動臺積電擴建3nm產能，從而需要訂購更多的EUV光刻機。

走出14個月漫長下行，估值重估周期開啟

報告寫道，ASML正在走出一個漫長的下行周期。以往的周期通常會導致ASML的兩年遠期市盈率在8-10個月內從30-35倍壓縮至18-22倍。然而，受關稅、貿易緊張局勢和出口限制等地緣政治不確定性影響，本輪下行周期持續了超過14個月（2024年7月至2025年9月）。

大摩指出，去年的下行主要歸因于除臺積電以外（如英特爾和三星）的晶圓代工支出疲軟，以及訂單動能不足。此外，投資者對亞洲市場的擔憂，以及對光刻強度下降的恐懼也加劇了這一趨勢。但目前，關于光刻強度和定價壓力的擔憂已基本消除，大摩甚至預計EUV的平均售價（ASP）還將因臺積電采用計算光刻技術而迎來上漲。

自夏季以來，市場情緒已發生轉變。隨著商品DRAM價格上漲以及三星HBM3e/HBM4的進展，“內存超級周期”的證據日益增多。大摩認為，臺積電穩健的業績和英偉達Rubin架構轉向A16芯片，確認了ASML的盈利重估周期已經正式開啟。

利潤率具韌性，但部分業務面臨放緩

盡管前景樂觀，但阿斯麥并非沒有挑戰。報告預計，DUV（深紫外光刻）業務的銷售額將同比下降，主要原因是對亞洲一個關鍵市場的需求預期減弱。大摩在模型中維持了對該市場銷售額“約15%的同比下降預期”，比ASML管理層給出的15-20%的指引范圍略顯樂觀。

然而，報告強調阿斯麥的利潤率仍具韌性。分析師在與管理層討論后指出，兩大因素將支撐利潤率：其一，是2026財年“更高的EUV銷售額”（模型預測為48臺，而今年為41臺）；其二，是“裝機基礎管理（IBM）”業務的利潤貢獻。

報告認為，隨著EUV裝機量的增長，服務業務的利潤率將得到改善。

綜合以上因素，摩根士丹利對ASML的2026財年毛利率預測為52.3%，僅比2025財年預計的52.7%微降40個基點。報告稱，“我們認為這證明了在困難的DUV年度里公司對利潤率的控制能力。”

基于這些積極展望，摩根士丹利最終決定，“我們將目標價從975歐元上調至1000歐元，并維持增持評級。鑒于近期的股價下跌，認為這是一個“有吸引力的股票切入點”，并將ASML提升為我們在歐洲半導體領域的首選股（Top Pick）。”

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