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10月16日消息，據(jù)KED Global報(bào)道，三星電子宣布一項(xiàng)重大投資計(jì)劃，將投入約1.1萬億韓元引進(jìn)兩臺(tái)最新的High-NA雙級(jí)極紫外（EUV）光刻機(jī)，此舉標(biāo)志著該企業(yè)在下一代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士披露，三星電子此前僅在京畿道園區(qū)部署過一臺(tái)High-NA EUV設(shè)備，且主要用于研發(fā)環(huán)節(jié)。此次引進(jìn)的兩臺(tái)設(shè)備則聚焦“產(chǎn)品量產(chǎn)”，是該企業(yè)首次將此類先進(jìn)設(shè)備應(yīng)用于量產(chǎn)場(chǎng)景。按照規(guī)劃，三星電子將于今年內(nèi)完成第一臺(tái)設(shè)備的引進(jìn)工作，明年上半年再引進(jìn)第二臺(tái)，逐步完善量產(chǎn)設(shè)備布局。

此次三星計(jì)劃引進(jìn)的設(shè)備為Twin Scan EXE:5200B，該設(shè)備屬于0.55數(shù)值孔徑（NA）的High-NA極紫外光刻系統(tǒng)，是TWINSCAN EXE:5000的升級(jí)版本。在技術(shù)性能上，它不僅進(jìn)一步提升了對(duì)準(zhǔn)精度，還大幅提高生產(chǎn)效率，被行業(yè)公認(rèn)為生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體芯片與高性能DRAM的核心必備設(shè)備。

與此前的NXE系統(tǒng)相比，Twin Scan EXE:5200B優(yōu)勢(shì)顯著。其成像對(duì)比度提升40%，分辨率可達(dá)8納米，能讓芯片制造商通過單次曝光實(shí)現(xiàn)比TWINSCAN NXE系統(tǒng)精細(xì)1.7倍的電路刻蝕。這一技術(shù)突破可將晶體管密度提升至原來的2.9倍，在降低大規(guī)模生產(chǎn)工藝復(fù)雜性的同時(shí)，有效提高客戶晶圓廠的晶圓產(chǎn)量，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)提供有力支撐。（純鈞）