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9月11日消息，臺積電近日對外確認多項產能調整計劃，包括兩年內退出氮化鎵（GaN）代工業務、整合8英寸舊廠并布局自研極紫外光（EUV）光罩薄膜量產，此舉旨在優化產能結構、降低運營成本，同時減少對外部供應鏈依賴，進一步提升先進制程競爭力。

根據規劃，臺積電將關閉位于新竹科學園區的6英寸二廠，并對新竹的8英寸三廠（Fab 3、Fab 5、Fab 8）進行整合。為緩解用工緊缺、提升產能利用效率，約30%的相關員工將調往南部科學園區及高雄廠區。這一系列動作是臺積電自2025年初啟動舊廠精簡計劃以來的關鍵舉措，將有效整合分散產能，降低多廠區運營成本。

在舊廠轉型利用方面，臺積電明確6英寸工廠將改造為CoPoS面板級封裝生產基地，而8英寸廠將承擔更具戰略意義的任務——量產自研EUV光罩薄膜（Pellicle）。據了解，EUV光罩薄膜是覆蓋在光刻光罩上的關鍵保護膜，可有效防止顆粒污染影響光刻精度，對7納米及以下先進制程良率至關重要。

此前，傳統EUV光罩薄膜多采用有機材料，存在透光性與穩定性不足的問題，多數晶圓廠只能在無薄膜狀態下生產，需頻繁檢測、更換光罩，不僅增加生產成本，還會延長生產周期。臺積電自主研發的EUV光罩薄膜，有望解決這一行業痛點，通過優化生產流程提升先進制程良率，同時減少對ASML及其供應鏈的依賴，增強供應鏈自主可控能力。

從行業背景來看，過去10年臺積電在先進制程領域投入了創紀錄的資本，但隨著摩爾定律逼近物理極限，單純依靠資本投入的收益逐步減弱。EUV光刻技術雖為更小制程節點提供可能，但其設備成本高昂——單臺EUV掃描機約1.5億美元，High-NA版本更是超過3.5億美元，且核心設備長期由ASML壟斷。在此背景下，臺積電放緩High-NA設備采購節奏，轉而加快EUV薄膜等關鍵配套技術的研發與量產，成為其平衡成本與技術突破的重要策略。（純鈞）