據報道，三星電子上個月交付給人工智能 (AI) 半導體領域無可爭議的領導者英偉達 (NVIDIA) 的第六代高帶寬存儲器 (HBM4) 已通過可靠性測試，并有望于本月底實現最終量產。如果最終測試進展順利，HBM4 最早可能于年底開始量產。此舉被視為對三星電子董事長李在镕積極宣傳的肯定，據報道，李在镕在最近的海外商務訪問期間會見了英偉達首席執行官黃仁勛。

據半導體行業消息人士20日透露，三星電子上個月交付給NVIDIA的HBM4樣品已通過初始原型和質量測試，并將于本月底進入“預生產（PP）”階段。一位業內重要消息人士解釋道：“據我了解，它們在質量和良率方面都獲得了積極評價，并且已經進入了PP階段。如果通過PP階段，將有望在11月或12月實現量產。”

PP 是半導體量產前進行的最終驗證流程。三星電子上個月提供的 HBM4 原型只是一個“工程樣品”，用于驗證其運行情況。預生產階段包括驗證與客戶圖形處理器 (GPU) 和其他組件的兼容性，以及在特定溫度條件下進行測試以確保其符合高質量標準。此階段完成后，將開始向量產過渡。

HBM4將用于NVIDIA下一代AI加速器Rubin。目前作為NVIDIA HBM獨家供應商的SK海力士已于3月交付HBM4樣品，并于6月初開始批量供貨，計劃于10月開始量產。三星電子若通過PP階段，將于11月開始量產，迅速縮小與SK海力士的差距。另有

傳言稱，三星電子的12層HBM3E產品也將通過NVIDIA的質量測試，并于本月下旬開始交付。業界認為，近期NVIDIA與SK海力士就HBM數量和價格同時進行談判，是因為三星電子即將交付HBM。NVIDIA

近期獲得了其專為中國開發的低規格HBM H20的出口許可，條件是其需向美國政府繳納15%的銷售額。據悉，三星電子提出的NVIDIA H20所用HBM3E價格比SK海力士低20%至30%。據悉，NVIDIA 堅持其立場，將在確認三星電子 HBM3E 和 HBM4 的質量測試后，再與 SK 海力士就 HBM3E 的價格達成一致。一位業內人士分析稱：“NVIDIA 希望提升在 HBM 市場的價格談判能力，而三星電子則希望獲得新的供應，因此這將是一個雙贏的局面。” 該人士補充道：“李健熙會長與黃仁勛 CEO 會談時，想必就解決這一懸而未決的問題進行了大量討論。”

如果三星電子成功向 NVIDIA 供應 HBM3E 和 HBM4，預計明年 AI 內存市場格局將出現大幅波動。今年上半年，三星電子在 HBM 市場的份額大幅下降至 17%，而去年同期為 41%。同期，SK 海力士的份額從 55% 增至 62%，美光的份額從 4% 增至 21%。金融投資行業預測，三星電子明年的HBM銷售額增長率可能翻一番以上。

此外，隨著HBM銷售額的增長，三星電子也有可能在美國進行大規模追加投資。具體方案包括將平澤工廠的DRAM出口到美國，并在當地進行HBM封裝，以規避美國關稅。因此，有預測稱，三星電子可能會在25日的韓美峰會上宣布，對其位于美國德克薩斯州泰勒市的半導體工廠進行大規模追加投資。

與此同時，關于HBM4的供應，三星電子表示：“我們無法確認任何與客戶相關的細節。”

HBM4大戰打響

全球第二大內存芯片制造商 SK 海力士年初表示，它在美國芯片巨頭英偉達主辦的年度科技會議 GTC 2025 期間推出了其下一代高帶寬內存芯片樣品。

該公司在加利福尼亞州圣何塞的展位上展示了 HBM、用于人工智能數據中心的內存產品、設備內存以及用于汽車業務的內存解決方案，展位將持續到周五。展位的主題為“內存，為人工智能和未來提供動力”。

其特色產品包括 12 層 HBM3E，這是目前量產最先進的 HBM。

該公司還推出了仍在開發中的下一代 12 層 HBM4 的原型，以及小外形壓縮附加內存模塊，這是一款針對 AI 服務器優化的低功耗 DRAM 內存模塊。

SK海力士計劃今年擴大12層HBM3E芯片的量產，同時為今年上半年量產16層HBM3E芯片做準備。該公司還計劃在今年下半年量產12層HBM4芯片，預計將根據客戶需求開始供貨。

SK海力士首席執行官郭魯貞 (Kwak Noh-jung)、人工智能基礎設施負責人兼首席營銷官金柱善 (Kim Ju-seon) 等主要高管將在 GTC 2025 期間與全球人工智能行業的領導者會面，以加強合作。

“我們很榮幸能在 GTC 2025 上展示我們行業領先的產品陣容，”金墉說道。“憑借在 AI 內存領域的差異化競爭力，我們正朝著成為全棧 AI 內存提供商的目標邁進。”

與此同時，這家內存芯片制造商周三表示，已向其主要客戶交付了全球首款 12 層 HBM4 樣品。

SK海力士相關人士表示：“我們已經提前交付了12層HBM4樣品，并已啟動與客戶的認證流程。我們還將在下半年完成量產準備，鞏固我們在下一代AI內存市場的地位。”

雖然該公司沒有透露其客戶，但據信其中包括 Nvidia 和 Broadcom 等美國主要科技公司。

目前，SK海力士憑借其業界領先的HBM3E產品引領HBM市場。HBM在圖形處理器（GPU）中扮演著至關重要的角色，而該市場主要由Nvidia主導。

其同城競爭對手三星電子計劃于今年下半年開始量產HBM4，而美國美光科技則設定了兩年內量產HBM4的目標。

尤其是美光科技，正通過加強與全球領先晶圓代工企業臺積電的合作，加速強化其HBM4的產能，使其在HBM4計劃發布之前保持領先地位。這其中包括任命臺積電前董事長劉德華加入美光科技董事會。

HBM 4，最新預測

SK海力士總裁表示，到2030年，HBM存儲市場年平均成長率將達到30%，英偉達和超微等領先的AI芯片將采用其所能獲得的最佳HBM存儲，而且AI市場短期內看不到放緩的跡象。

SK海力士對全球AI芯片中HBM應用成長的樂觀預測，消除了市場對該產業價格上漲壓力的擔憂。幾十年來，AI產業一直被視為與石油或煤炭等大宗商品同等重要的產業。亞馬遜、微軟和谷歌等美國云端運算公司正在AI基礎設施上投入數千億美元資金，這對于關鍵要素之一的HBM，無疑是非常好的利多。

即使如此，隨著HBM存儲逐步走向HBM4，這一產業的發展將帶來許多競爭的挑戰。

2025年上半年，SK海力士向英偉達提供的HBM4 12-Hi存儲，其單價達到500美元左右，這意味著其新款HBM 4的供應價格比其HBM3E 12-hi存儲（售價在300美元左右）高出60%至70%。

根據分析，HBM4的溢價除了是由于SK海力士在與競爭對手三星和美光在與英偉達談判中，搶占了獨家供應商的地位之外，HBM4的生產難度也是很大原因。 HBM4的制造比目前HBM3 + HBM3E更為復雜，包括：SK海力士、三星和美光在內的HBM4制造商都必須改變其各自HBM4存儲的制造方式。

因為HBM4將是首次HBM存儲在基礎芯片上采用晶圓代工廠制程的產品，這造成了其成本推升的另一個因素。

這意味著，現在廠商不可能再輕易地用幾乎完全相同的芯片或產品來替換競爭對手的HBM存儲，因為每一家廠商的新款HBM4都包含一個為客戶客制化的邏輯芯片（或稱“基礎芯片”）用于管理HBM。

對于英偉達來說，目前SK海力士是英偉達的HBM3E 12-Hi產品獨家供應商，并且是首個完成HBM4初步供應談判的公司。然而，由于英偉達想要找多幾家廠商來降低HBM4價格，因此決定納入三星和美光的品質測試。如果英偉達能夠在下一代AI芯片上市之前，追加新的HBM4供應廠，那么市場將不可避免將進入價格戰。

此外，美國川普政府可能對來自沒有美國制造業務的國家半導體芯片征收約100%甚至300%的關稅，這引發了許多不確定性。

雖然三星和SK海力士都有在美國投資，但是其資格要如何認定，要等到真正公布之后，才見真章。這也是英偉達想要多一點HBM4供應來源的關鍵。畢竟，HBM存儲的成本高低，也將關系著未來AI的發展啊！