IT之家 8 月 11 日消息，據最新消息，三星 Galaxy S26 Ultra 在內存性能方面將實現重大飛躍。爆料人 Ice Universe 透露，該機型將配備美光最新的 LPDDR5X 內存，其速度高達 10.7 Gbps，相較于 S25 Ultra 的 9.6 Gbps 顯著提升。

這一內存速度的飛躍得益于美光的 1γ（1-gamma）DRAM 架構，該架構相比上一代的 1β（1-beta）架構，在功耗效率和多任務處理能力上都有大幅提升。這意味著用戶在使用手機時，尤其是在運行高負載任務時，能夠獲得更流暢的性能體驗，同時不會過度消耗電池電量。

據IT之家了解，雖然在日常使用中，這種速度提升可能并不明顯，但在對內存帶寬要求極高的場景中，例如大型游戲或多任務切換時，其優勢將極為突出。對于游戲玩家和經常需要同時運行多個應用程序的用戶來說，這一升級無疑是一個巨大的福音。

此外，三星近年來一直在努力提升其設備的人工智能能力，而此次的 RAM 升級將在其中發揮關鍵作用。Galaxy S26 Ultra 還預計將搭載驍龍 8 Elite 2 芯片，結合內存性能的提升，這款手機的整體性能將遠超前代機型。