眾所周知，在芯片制造領(lǐng)域，光刻機是繞不過的最重要的設(shè)備。

更重要的是，中國光刻機技術(shù)，相比于全球頂尖水平確實落后很多年。

ASML已經(jīng)有EUV光刻機了，我們還處于干式DUV水平，之后還有浸潤式DUV，然后才到EUV光刻機，好幾代。

為什么我們的光刻機技術(shù)如此落后呢？原因是多方面的。

一是起步晚，雖然早年剛起步的時間差不多，但我們中間出現(xiàn)了一段時間的造不如買的思潮，所以明明早年起步差不多，但中間停滯了差不多10至20年。

二是技術(shù)封鎖，因為光刻機太重要了，所以歐美將各種專利、技術(shù)、元件、供應(yīng)鏈掌握在自己的手中，不流向中國。

而光刻機相當復(fù)雜，產(chǎn)業(yè)鏈太寬太多了，如果全部要靠國產(chǎn)，確實難度大增。

不過，近日，有好消息傳出，那就是中國科學院（CAS）的研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，光源波長是193nm，和ASML、佳能、尼康的方式不一樣。

目前像ASML等廠商，采用的都是氟化氬（ArF）準分子激光技術(shù)，通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物，在高壓電場下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193納米波長的光子。

去年我國曝光的一臺DUV光刻機，就是這種氟化氬方案。

而中科院這次采用的是固態(tài)深紫外（DUV）激光技術(shù)，具體的技術(shù)方案是用Yb:YAG晶體放大器生成1,030納米激光，再將這個激光用不同的光學方案，轉(zhuǎn)換成兩路波長的光源。

再將這兩路波長的光尖，通過串級硼酸鋰（LBO）晶體混合，就能夠生成193納米波長的激光光束。

而193nm波長的光源，就是制造干式DUV、浸潤式DUV的光源。

這種方案，與ASML等的技術(shù)路線不一樣，除了可以繞開它們的技術(shù)、專利等封鎖之外，還能夠減少對于稀有氣體的需求，另外能耗也低一些。

不過，目前這個技術(shù)，更多的還是在實驗室，要真正成為現(xiàn)實，用到光刻機中，還有一段距離，且這種技術(shù)生產(chǎn)出來的光源，其輸出功率和頻率仍遠低于現(xiàn)有技術(shù)，真正用來大規(guī)模光刻芯片，可能還暫時不行。

但不可否認的是，技術(shù)就是這樣一次又一次的突破，迭代出來的，后續(xù)隨著技術(shù)不斷的進步，也許替代ASML們的方案，就不是問題了。