3 月 25 日消息，據國際光電工程學會（SPIE）消息，中國科學院（CAS）研究人員成功研發突破性的固態深紫外（DUV）激光，能發射 193 nm 的相干光（Coherent Light），該波長目前被用于半導體曝光技術。

論文介紹稱，深紫外相干光，尤其是 193 nm 波長的光，已成為半導體光刻不可或缺的部分。研究人員提出了一種緊湊型固態納秒脈沖激光系統，能夠在 6 kHz 的重復頻率下產生 193 nm 相干光。

將自制 Yb:YAG 晶體放大器中的 1030 nm 激光的一部分通過四次諧波產生，生成 258 nm 激光（1.2 W），其余部分用于泵浦一個光學參量放大器，產生 1553 nm 激光（700 mW）。這些光束在級聯 LiB3O5 晶體中的頻率混合產生平均功率為 70 mW、線寬小于 880 兆赫的 193 nm 激光。通過在頻率混合前將螺旋相位板引入 1553 nm 光束，我們生成了一個攜帶軌道角動量的渦旋光束。

從論文獲悉，這是首次從固態激光中產生 193 nm 渦旋光束的演示。這種光束對于種子混合 ArF 準分子激光器非常有價值，并在晶圓加工和缺陷檢測中具有潛在的應用。

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