眾所周知，在絕大多數(shù)人的認(rèn)知里，制造7nm以下的芯片必須使用EUV光刻機(jī)。

而這也是美國(guó)，為什么不準(zhǔn)ASML銷售EUV光刻機(jī)給我們的原因，美國(guó)擔(dān)心我們擁有這種光刻機(jī)之后，能夠制造出先進(jìn)的芯片來。

那么我們，就再也不擔(dān)心美國(guó)卡我們的芯片脖子了，因?yàn)橐坏┳约耗軌蛑圃炝耍绹?guó)卡什么，我們制造什么。

而后來，不僅僅是EUV光刻機(jī)，美國(guó)連先進(jìn)的DUV光刻機(jī)，都進(jìn)行了禁運(yùn)，范圍越來越擴(kuò)大。

不過禁了浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)這個(gè)，大家倒不是太擔(dān)心，因?yàn)槲覀円呀?jīng)預(yù)料到了這一天，所以國(guó)內(nèi)的晶圓廠，其實(shí)已經(jīng)買到了足夠多的DUV光刻機(jī)。

大家擔(dān)心的，其實(shí)還是EUV光刻機(jī)這一塊，畢竟卡住這個(gè)，進(jìn)入7nm之下，似乎就沒什么戲了，而國(guó)產(chǎn)EUV量產(chǎn)，還遙遙無期。

不過，近日，有專業(yè)機(jī)構(gòu)分析稱，事實(shí)上，利用浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，也是可以制造2nm芯片的。

按照臺(tái)積電的資料顯示，今年要量產(chǎn)的“2nm”節(jié)點(diǎn)的最小（金屬）半節(jié)距為 10nm。但事實(shí)上，采用EUV光刻機(jī)，也是無法一次性光刻成功的，因?yàn)檫@低于目前最先進(jìn)的 EUV 系統(tǒng)的分辨率。

所以EUV光刻機(jī)，也要采用多次曝光來進(jìn)行光刻，而一般做法是采用雙重圖案化 (SADP)的方式來多重曝光。

而除了SADP之外，還有一種方案叫做六重圖案化 (SASP)，采用這種方案，相當(dāng)于6次曝光，可以將光刻機(jī)的分辨率，降低其標(biāo)準(zhǔn)的六分之一。

拿浸潤(rùn)式DUV來說，能達(dá)到的分辨率，一般是38 nm，如果采用SASP方案，則可以達(dá)到6分之1，也就是6.3 nm 半間距，而2nm芯片是10nm的半間距。

所以理論上2nm芯片，也能夠使用DUV光刻機(jī)來制造，只是這種SASP方案，需要在SADP（雙對(duì)準(zhǔn)） 后緊接著 SATP（三對(duì)準(zhǔn)），這樣難度較大。

但不管怎么樣，這也給我們提供了有價(jià)值的方向和參考，意味著就算沒有EUV光刻機(jī)，理論上也卡不住我們。

不過大家也清楚，工藝越復(fù)雜，良率越低，成本越高，所以在沒有特別需要的情況下，不會(huì)輕易采用這種方案，但到了極限時(shí)，也不得不用了。