2 月 21 日消息，半導體設備巨頭泛林集團 Lam Research 美國加州當地時間 19 日宣布正式推出全球首型鉬（Mo）原子層沉積（注：即 ALD）設備 ALTUS Halo，該設備已在邏輯半導體和 3D NAND 領域得到早期采用。

▲ ALTUS Halo

在最近 20 多年的芯片上金屬布線元器件互聯等半導體工藝中，鎢（W）一直憑借其出色的溝槽填充能力起到相當重要的作用。

但是隨著半導體制程的發展，鎢電阻較高的劣勢逐步顯現，此時在溝槽填充和電阻兩方面表現均優秀的鉬正成為布線工藝的新寵。而 ALTUS Halo 就是一臺向半導體注入鉬的設備。

泛林集團高級副總裁兼全球產品集團總經理 Sesha Varadarajan 表示：

基于泛林深厚的金屬化專業知識，ALTUS Halo 是 20 多年來原子層沉積領域最重大的突破：

它將泛林的四站模塊架構和 ALD 技術的新進展結合在一起，為大批量生產提供了工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興的、未來的芯片變化（包括千層 3D NAND、4F2 DRAM、先進 GAA 邏輯電路）的關鍵要求。

美光負責 NAND 開發的公司副總裁 Mark Kiehlbauch 則表示：

鉬金屬化的集成使美光能夠在最新一代 NAND 產品中率先推出業界領先的 I/O 帶寬和存儲容量。泛林的 ALTUS Halo 設備使美光將鉬投入量產成為可能。

除 ALTUS Halo 外，泛林還同期推出了一款等離子體蝕刻設備 Akara，其采用固態等離子體源，生成的等離子體響應速度提升了 100 倍，支持更大縱橫比的超高精度蝕刻，以形成復雜的 3D 結構。

▲ Akara