12月27日，英諾賽科科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）公告配發結果，公司全球發售約發售4536.40萬股H股股份，香港公開發售占約10%，國際發售占約90%。最終發售價為每股30.86港元，面向散戶部分獲得2.87倍認購。將通過香港IPO凈籌資13億港元。

此次IPO中金公司和招銀國際為聯席保薦人，基石投資者包括，意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創聯、蘇州高端裝備。

英諾賽科成立于2017年，是全球領先的氮化鎵功率半導體廠商，致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化。經過多年對氮化鎵相關尖端技術的研發深耕，和對產品創新及市場拓展的不懈努力。如今，英諾賽科已具備強大的產研能力，并在市場上牢牢占據領先地位。根據弗若斯特沙利文的資料顯示，2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一，市占率高達42.4%。

指數級增長的朝陽產業

不久前，英諾賽科憑借在推動中國氮化鎵技術產業發展中做出的卓越貢獻，被評為“第三代半導體年度標桿領軍企業”和“中國氮化鎵十強企業”。

近年來，隨著電動汽車、數據中心、新能源發電及電網等相關產業的快速發展，更高效且更具經濟效益的功率半導體產品的市場需求激增，促使行業內默默孕育著一場半導體材料革命。而氮化鎵正是引領這場革命的核心。

氮化鎵作為極具性能優勢的第三代半導體材料。相比傳統硅材質，具有明顯的寬帶隙、電子遷移率高、開關頻率高、導通電阻低、耐高壓、耐高溫等綜合優勢。目前，氮化鎵已在中低壓的多個應用領域大放異彩，而在高壓應用中的潛力更是不容小覷。

弗若斯特沙利文研究：功率半導體是電子器件中電源轉換和電路控制的核心，預計全球功率半導體市場規模將由2024年的人民幣3,680億元增至2028年的人民幣4,968億元，復合年增長率為7.8%。

其中，氮化鎵功率半導體產品在過去幾年強勢增長。其市場規模自2019年的人民幣1.39億元迅速增長至2023年的人民幣17.6億元，復合年增長率高達88.5%。而隨著氮化鎵技術越趨成熟以及下游應用范圍更為廣泛，2023年被視為氮化鎵行業指數級增長的開局之年。

公司招股書

2023年，氮化鎵在全球功率半導體市場中的滲透率為0.5%，占功率半導體分立器件市場的1.4%。預計到2028年，占全球功率半導體市場的份額將提升至10.1%。2024年至2028年的復合年增長率將達到98.5%。

無可爭議的行業龍頭

無論是行業內還是資本，對于氮化鎵技術的認可與重視程度不容置否。此時，具有深厚專利技術沉淀，以及大規模商業化能力的企業更容易獲得更多的市場資源傾斜，從而取得先發優勢。而英諾賽科無疑是這一賽道中當之無愧的頭部玩家。

根據弗若斯特沙利文的統計，2023年，英諾賽科來自氮化鎵功率半導體業務的收入在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名首位，市場份額為33.7%。

公司招股書

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月12,500片晶圓。并且是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司。8英寸硅基氮化鎵晶圓具有更多的有效面積、更先進的工藝技術、更高的生產效率及低成本等優勢，與傳統的6英寸晶圓相比，每晶圓的晶粒產出數提升80%，單顆芯片成本降低30%。在先進的工藝和完善的流程控制下，公司目前產品的良率高于95%，亦高于其他氮化鎵功率半導體制造公司的平均產品良率（約90%至95%）。

此外，英諾賽科亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。顯示出公司在氮化鎵技術的全面專業的研發和制造能力。

英諾賽科的核心競爭力源自其領先的技術研發實力和全產業鏈模式。公司擁有來自國際一流半導體企業的技術專家和資深人士，在氮化鎵材料生長、芯片設計、制造工藝等方面擁有多項自主知識產權和核心技術。

創始人Luo博士為一位世界級科學家及富有遠見的企業家，具備豐富經驗。在創辦本公司之前，Luo博士多年來一直從事科學研究、項目管理及創業。

研發方面，英諾賽科于蘇州建立了全球研發中心，并致力于創新及著重研發本身的技術平臺的升級。在技術平臺不斷迭代與完善中，公司產品的性能持續提升，生產成本持續下降。并推動了關鍵性能指標的不斷突破。例如公司首創的雙向氮化鎵系列，有效提升了33%面積效率，同時降低了30%系統損耗，一顆雙向增強型雙向氮化鎵芯片就能替換兩顆硅MOSFET。

目前，公司研發工作于全球已累計獲得406項專利，其中包括331項發明專利、75項實用新型專利以及387項專利申請。產品已從消費級邁向工業級，并正在向車規級邁進，以更高的產品質量標準涵蓋更廣泛的應用領域。

公司采用IDM一體化垂直運作模式，覆蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試。實現了全產業鏈的自主可控，有效保證了產品的質量和性能。相比于傳統晶圓代工廠，IDM模式在設計生產協同、產能和供應鏈的穩定性、成本和工藝技術升級方面具有明顯優勢。有望成為未來氮化鎵產業的主導商業模式，市場觀點也認為，早期布局IDM的企業可獲得先發優勢及長期競爭力。

盈利能力顯著改善，即將進入收獲期

隨著產能及產品供應的擴大以及核心技術的成熟。英諾賽科逐步進入收獲期，營收規模持續擴大。2021年至2023年，英諾賽科實現營業收入分別為人民幣0.68億元、1.36億元、5.93億元，年均復合增長率為194.8%。截至2024年6月底，營業收入為3.86億元，同比增長25.2%。

目前，英諾賽科向中國和海外（主要包括亞洲及歐洲）約140名客戶提供氮化鎵產品。并獲得了客戶的廣泛認可。

不久前，公司40V車規級產品INN040FQ045A-Q也榮獲了“年度影響力產品”獎。進一步印證了公司強勁的研發技術實力和優秀的產業化能力。

據介紹，該產品是英諾賽科基于40V車規平臺開發的一款超小封裝的氮化鎵車規芯片，已通過AEC-Q101車規級認證。該芯片具備小體積、低損耗、高頻高功率的優點，是繼車載激光雷達之后第二款打入車規前裝市場的氮化鎵芯片，為新能源汽車的智能化、便捷化提供了有力支持。

在半導體產業中，IDM模式的公司在實現規模經濟之前會先經過design-in及design-win的過程，這是指客戶在產品設計時間的早期與供貨商合作，提出并完善符合客戶需求及市場趨勢的設計（design-in），以及隨后獲得客戶確認采用產品設計（design-win）的過程。

目前，公司正逐步實現規模經濟增長及經營效率的提升，凈虧損逐步收窄。截至2024年6月底，公司期內虧損減少15.8%，經調整凈虧損（非香港財務報告準則計量）同比減少31.2%。

公司預期透過持續收入增長、規模經濟增長及提升經營效率，在不久的將來改善財務表現、實現盈利。