12月26日消息，據媒體報道，在國際微電子領域頂級學術會議IEDM第70屆年度會議上，來自中國的浙江馳拓科技發布了一項突破性的SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器）技術進展，解決了該技術在大規模生產中面臨的主要挑戰。

馳拓科技首次提出了適合大規模制造的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結構，顯著降低了SOT-MRAM工藝流程的復雜性和難度，并從原理上提升了器件良率。

該結構的創新之處在于將MTJ直接放置在兩個底部電極之間，并允許過刻蝕，從而大幅度增加了刻蝕窗口，降低了刻蝕過程的難度。

這一突破性設計使得12英寸晶圓上SOT-MRAM器件的位元良率從99.6%提升至超過99.9%，達到了大規模制造的要求。

同時，該器件實現了2納秒的寫入速度，超過1萬億次的寫入/擦除操作次數（測量時間上限），并且具備持續微縮的潛力。

傳統方案

馳拓科技創新方案

據了解，SOT-MRAM擁有納秒級寫入速度和無限次擦寫次數，是一種有望替代CPU各級緩存的高性能非易失存儲技術，有望解決當前SRAM成本及靜態功耗過高等問題。

不過SOT-MRAM在器件制造工藝上極具挑戰性，特別是傳統方案從原理上導致刻蝕良率低，嚴重制約了其大規模生產與應用。