12 月 12 日消息，據 IBM 官方當地時間 9 日博客，IBM 和日本先進芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國際電子器件會議上展示了兩方合作的多閾值電壓 GAA 晶體管研發成果，這些技術突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量產。

IBM 表示，先進制程升級至 2nm 后，晶體管的結構由使用多年的 FinFET（注：鰭式場效應晶體管）轉為 GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管），這對制程迭代帶來了新的挑戰：如何實現多閾值電壓（Multi Vt）從而讓芯片以較低電壓執行復雜計算。

2nm 名義制程下 N 型和 P 型半導體通道之間的距離相當狹窄，需要精確的光刻才能在實現多閾值電壓的同時不會對半導體的性能產生巨大影響，而 IBM、Rapidus 導入了兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構建工藝，成功達成了目標效果。

IBM 研究院高級技術人員 Bao Ruqiang 表示：

與上一代 FinFET 相比，Nanosheet 納米片的結構非常不同，而且可能更復雜。

我們提出的新生產工藝比以前使用的方法更簡單，我們相信這將使我們的合作伙伴 Rapidus 更容易可靠地大規模使用 2 納米片技術制造芯片。