眾所周知，自從2020年以來，美國就限制EUV光刻機賣給中國。

后來這種限制越來越嚴格，被禁運的設備也越來越多，按照媒體的說法，美國的目標是鎖死我們的邏輯芯片工藝在14nm，DRAM內存在18nm，NAND閃存在128層。

在這樣的情況之下，國產廠商們紛紛努力，希望早日實現國產替代，突破美國的封鎖。

而這個國產替代，分為兩個部分，一方面是先進設備的突破，減少對國外的依賴。

另外一個方面，則是對成熟芯片的設備進行替代，據媒體的說法，有些國內芯片廠，甚至已經到了對設備上的零部件逐一排查的地步。

只要是國產設備能夠進行替代的，哪怕是性能差一點，可靠性差一點，也要替代掉，因為使用國外設備，就有可能被卡脖子的風險。

那么問題來了，目前國產替代，到底到了什么程度了？使用全套國產設備，究竟能夠生產多少納米的芯片？

從當前的情況來看，除了光刻機，我們應該已經實現了14nm芯片的全部自主化。

我們可以從晶圓制造，到前道工序，后道工序這三個主要環節來看。

晶圓制造這一塊，基本上沒什么問題，300mm的晶圓我們能夠制造，300mm晶圓，制造3nm、2nm都沒問題。

而前道工序最復雜，這里機的設備最多，也最關鍵，需要使用光刻機、刻蝕機、清洗機、離子注入等等設備。

這里的國產設備技術也是一樣，最先進的是國產刻蝕機，達到了3nm，而最落后的則是光刻機了，應該還在65nm，使用多重曝光技術之后，估計最高還不到28nm。

到于其它的設備，有些先進的達到了7nm，但基本上其實都達到了14nm左右。

而后道工序這里指的是封測這一塊，中國在封測領域一直處于國際領先水平，設備也大部分實現了國產化，按照專業人士的說法，使用國產設備，來封測7nm及以下的芯片，都沒太多問題。

可見，如果全部替換掉國外設備，采用全套國產設備，除了光刻機之外，應該是能夠達到14nm的，但使用國產光刻機，可能問題就比較大了，也許28nm都不一定。

所以接下來，國產光刻機的突破勢在必行，只要光刻機跟上，我們就沒那么在乎禁令了，如果能夠有國產EUV光刻機，那禁令就成廢紙了。