近日，美國麻省理工學院（MIT）的研究團隊成功研發出一種新型的納米級3D晶體管，刷新了最小3D晶體管的紀錄。這款晶體管在性能和功能上與現有硅基晶體管不相上下，甚至在某些方面實現了超越。

值得一提的是，晶體管作為電子設備和集成電路的核心組件，一直面臨著提升性能和擴展應用范圍的挑戰。傳統硅基晶體管受“玻爾茲曼暴政”物理定律的限制，無法在低電壓條件下正常工作，這一難題如今被麻省理工學院的團隊攻克。

為了突破這一瓶頸，研究人員采用了由銻化鎵和砷化銦組成的超薄半導體材料，成功研制出新型3D晶體管。這款晶體管在低電壓下仍能高效運行，性能達到當前硅晶體管的頂尖水平。

團隊還將量子隧穿原理融入晶體管的設計中，使電子能夠輕松穿越能量勢壘，大幅提升了晶體管開關的靈敏度。此外，他們構建了直徑僅為6納米的垂直納米線異質結構，進一步優化了晶體管的尺寸。

經過嚴格測試，這款新型晶體管在狀態切換方面表現出卓越的性能，速度和效率比同類隧穿晶體管提高了20倍。它充分利用量子力學優勢，在極小的空間內實現了低電壓操作和高性能的完美結合。

由于其微小的尺寸，這款晶體管有望在計算機芯片上封裝更多數量，為研制性能更強大、能耗更低、功能更豐富的電子產品奠定基礎。目前，團隊正致力于改進制造工藝，并探索其他3D晶體管設計，以推動技術進步。