10 月 29 日消息，英飛凌官方今日宣布，在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展。

這種晶圓直徑為 30mm，厚度為 20μm、僅有頭發絲的四分之一，是目前最先進的 40-60μm 晶圓厚度的一半。

獲悉，與基于傳統硅晶圓的解決方案相比，晶圓厚度減半可將基板電阻降低 50%，從而使功率系統中的功率損耗減少 15% 以上。

據官方介紹，對于高端 AI 服務器應用來說，電流增大會推動能源需求上升，因此，將電壓從 230V 降低到 1.8V 以下的處理器電壓，對于功率轉換來說尤為重要。

超薄晶圓技術大大促進了基于垂直溝槽 MOSFET 技術的垂直功率傳輸設計。這種設計實現了與 AI 芯片處理器的高度緊密連接，在減少功率損耗的同時，提高了整體效率。

英飛凌表示該技術已獲得認可，并被應用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉換器）中，且已交付給首批客戶。

英飛凌預測在未來三到四年內，現有的傳統晶圓技術將被用于低壓功率轉換器的替代技術所取代。

11 月 12-15 日，英飛凌將在 2024 年慕尼黑國際電子元器件博覽會上公開展示首款超薄硅晶圓。

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