7 月 21 日消息，繼消息稱三星有望今年第 3 季度開始向英偉達出貨后，韓媒 sedaily 報道三星開始已在華城 17 號產線量產并向英偉達供應 HBM3 內存。

此外，為彌補 HBM 供應造成的通用 DRAM 內存供應短缺，平澤 P4 工廠轉為 DRAM 專用生產線。

此前報道，三星平澤 P4 工廠的代工業(yè)務已暫緩建設。韓媒稱 NAND 閃存產線也沒有進一步投資的計劃。

業(yè)內人士稱：

目前，P4 是三星（韓國）國內業(yè)務中唯一可以增加 DRAM 產能的空間。該公司已經制定了計劃，在可以增加半導體產能的空間首先投資 DRAM。