環球網

11月15日消息，根據中國科學院官網信息，金剛石具有優異的導熱和絕緣等性能，成為新一代大功率芯片和器件散熱的關鍵材料。將芯片直接與金剛石鍵合來降低結溫，被視為高性能芯片及3D封裝的理想熱管理方案。通常，金剛石薄膜合成是以Si作為基板材料，合成后通過化學刻蝕去除Si基板進而得到金剛石“自支撐”薄膜。

此前，中國科學院寧波材料技術與工程研究所研發團隊，制備出超低翹曲的4英寸金剛石“自支撐”超薄膜。

近期，該團隊在金剛石超薄膜高效剝離技術上再次取得進展，發展出4英寸級超低翹曲金剛石超薄膜的“自剝離”技術。通過對金剛石薄膜初期形核、生長的精準調控與工藝創新，合成后的4英寸金剛石膜（厚度

同時，團隊將915MHz大功率MPCVD的金剛石沉積面積擴展到12英寸，實現了低應力、超低翹曲4英寸金剛石薄膜的單機5片同時合成。結合上述高效“自剝離”技術，為“自支撐”金剛石薄膜的工業化批量生產奠定了裝備與工藝基礎。（青云）