10 月 22 日消息，工商時報今天（10 月 22 日）發布博文，報道稱隨著技術節點進一步微縮 1.4 納米（A14）及 1 納米（A10），臺積電面臨新的制造瓶頸，該公司決定放棄采購單價高達 4 億美元（注：現匯率約合 28.37 億元人民幣）的 ASML 高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機。

理論上，采購荷蘭 ASML 公司尖端的高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機是解決該問題的直接方案。然而，最新報道指出，臺積電并未選擇采購，而是決定采用“光掩模護膜”技術作為替代方案，以推進其 2 納米等先進制程的研發與生產。

這項決策的核心考量在于成本。一臺高數值孔徑 EUV 光刻機的售價高達 4 億美元，是一筆巨大的資本開支。該媒體指出臺積電認為，該設備目前帶來的價值與其高昂的價格并不匹配。

因此，公司選擇了一條成本更低的路徑，即在現有標準 EUV 光刻機上，通過引入光掩模護膜，保護光掩模在光刻過程中免受灰塵等微粒污染，從而實現更精密的芯片制造。

盡管光掩模護膜方案能夠規避巨額的設備采購費用，但它也帶來了新的技術挑戰。使用標準 EUV 光刻機生產 1.4 納米和 1 納米級別的芯片，需要進行更多次曝光才能達到所需精度。

這意味著光掩模的使用頻率會大幅增加，不僅拖慢生產節奏，還可能對芯片良率構成潛在風險。臺積電需要通過大量的“試錯”來優化生產的可靠性，這無疑是一場技術上的攻堅戰。

臺積電拒絕采購高數值孔徑 EUV 光刻機的另一個原因，可能在于其供應量的限制。據了解，ASML 每年僅能生產五到六臺此類設備。對于需要采購多達 30 臺標準 EUV 光刻機以滿足蘋果等大客戶龐大需求的臺積電而言，將巨額資金投入到少數幾臺設備上，并不符合其長期產能規劃。（故淵）