IT之家 10 月 17 日消息，據(jù)科技媒體 TweakTown 今天報道，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率已達到 50%，同時該公司還在擴充 High-NA EUV 光刻機產(chǎn)能，加速量產(chǎn) HBM4、HBM4E。

據(jù)消息人士 Jukanlosreve 昨天在 X 平臺的發(fā)文，三星已加速押注 DRAM 領域，從 ASML（IT之家注：阿斯麥）購入 5 臺全新 High-NA EUV 光刻機，其中 2 臺將部署在三星半導體代工事業(yè)部，其余設備則專供存儲事業(yè)部。

TweakTown 對此認為，三星的這番舉動暗示著將建立專屬內(nèi)存生產(chǎn)線，使得 HBM4 量產(chǎn)速度更快，同時提前部署 HBM4E 和下一代 HBM5。

一位半導體業(yè)界人士表示：“過去三星的代工和存儲業(yè)務在韓國平澤園區(qū)共用 EUV 工藝，但隨著最新變化，新增的五臺光刻機將專供存儲業(yè)務”。

作為參考，三星平澤園區(qū)的 DRAM 部門每月大約生產(chǎn) 30 萬片晶圓，其產(chǎn)線幾乎已經(jīng)滿載，不過根據(jù)另一名業(yè)內(nèi)人士透露，如果北美的主要客戶追加訂單，那剩下三臺光刻機有可能被送至美國德州泰勒晶圓廠。

對比之下，三星的競爭對手 SK 海力士仍處于領先地位，為英偉達 Blackwell 系列 GPU 供應 HBM3 / HBM3E 芯片，三星此舉勢必將擴大 DRAM 產(chǎn)能，讓兩家公司之間的競爭進一步升級。