IT之家 10 月 14 日消息，中國臺(tái)灣陽明交通大學(xué)（NYCU）聯(lián)合臺(tái)積電、國立中興大學(xué)（NCHU）、美國斯坦福大學(xué)等機(jī)構(gòu)，成功攻克自旋軌道力矩磁阻式磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）的核心材料難題。

SOT-MRAM 被視為下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)的重要方向。該研究由陽明交通大學(xué)助理教授黃彥霖主導(dǎo)，成果已于 9 月發(fā)表在《自然?電子學(xué)》上。

黃彥霖團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種新方法，使 SOT-MRAM 關(guān)鍵材料 ——β 相鎢（β-W）在高溫制程中仍能保持穩(wěn)定，為制造超高速、低能耗且具商業(yè)化潛力的存儲(chǔ)芯片奠定基礎(chǔ)。

▲ 圖源：陽明交通大學(xué)

該方案實(shí)現(xiàn)了四項(xiàng)業(yè)界首次驗(yàn)證：

整合 CMOS 控制電路的 64Kb SOT-MRAM 陣列

最快達(dá) 1 納秒的超高速切換速度

超 10 年數(shù)據(jù)保存期

滿足高能耗敏感場景的低功耗特性

陽明交通大學(xué)表示，此項(xiàng)突破解決了存儲(chǔ)器領(lǐng)域十年未解之困 —— 傳統(tǒng)易失性存儲(chǔ)器（如 DRAM）速度快但斷電數(shù)據(jù)丟失，非易失性存儲(chǔ)器（如 Flash 閃存）能長期保存數(shù)據(jù)但速度受限。據(jù)IT之家所知，此前相變存儲(chǔ)器（PCM）、自旋轉(zhuǎn)移矩存儲(chǔ)器（STT-MRAM）等方案均存在速度、耐用性或功耗缺陷。

該技術(shù)將加速 SOT-MRAM 商業(yè)化進(jìn)程，其高速、低功耗、非易失性特質(zhì)有望推動(dòng)以下領(lǐng)域變革：

人工智能與大語言模型：提升數(shù)據(jù)吞吐能效

移動(dòng)設(shè)備：延長電池續(xù)航，增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全

汽車電子與數(shù)據(jù)中心：提高熱應(yīng)力下的可靠性并降低能耗