近期，中國科學院半導體研究所科技成果轉化企業北京晶飛半導體科技在碳化硅晶圓加工技術領域取得重大突破，成功利用自主研發的激光剝離設備實現了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標志著中國在第三代半導體關鍵制造裝備領域邁出重要一步，為全球碳化硅產業的降本增效提供了全新解決方案。

本次技術突破對碳化硅產業發展具有多重意義，主要包括：大幅降低生產成本：12英寸碳化硅晶圓相比目前主流的6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單位芯片成本降低30%~40%；提升產業供給能力：解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸，為全球碳化硅產能擴張提供了設備保障；加速國產化替代進程：打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設備領域的技術壟斷，為我國半導體裝備自主可控提供了重要支撐；促進下游應用普及：成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領域的應用。