8月1日，氮化鎵垂直整合制造商英諾賽科（02577.HK）公告，已經與英偉達達成合作，聯合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規模化落地。

800 VDC架構是英偉達針對未來高效供電兆瓦級計算基礎設施而專門設計的新一代電源系統，相比傳統54V電源，在系統效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優勢，可支持AI算力100-1000倍的提升。

英諾賽科稱，公司的第三代GaN（氮化鎵）器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達800 VDC架構提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。隨著GaN技術與英偉達800 VDC供電架構的融合，未來幾年，AI數據中心將實現從千瓦級到兆瓦級的飛躍，開啟更高效、更可靠、更環保的AI計算時代。

當天港股交易時間，受加入英偉達供應鏈消息提振，英諾賽科盤中一度拉漲逾60%，股價刷新上市以來新高，引發市場關注。當天收盤股價漲30.91%。

2025年5月，英偉達官網發布的相關文章指出，AI工作負載的指數級增長正在增加數據中心的功率需求。傳統的54V機架無法支持即將進入現代AI工廠的兆瓦（MW）-scale機架。從2027年開始，英偉達將率先向800V HVDC數據中心電力基礎設施過渡，以支持1MW及以上的IT機架。

為了加速采用，英偉達正在與數據中心電氣生態系統中的主要行業合作伙伴合作，其中，就包括英諾賽科在內多位合作伙伴。

隨著英偉達發布這一消息，資本市場就對氮化鎵概念的高度關注。另一家供應商納微半導體(Navitas)當時主動官宣了與英偉達合作開發下一代800V高壓直流架構，為包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的“Kyber”機架級系統供電。受與英偉達合作消息提振，納微半導體股價曾一度單日大漲近200%，截至目前已較合作信息披露前上漲超過3倍。

英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產線。官網顯示，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。