與傳統硅基存儲器不同，新型存儲器采用帶負電荷的氧原子來存儲信息。這一創新使得存儲器在高溫環境下仍能保持信息穩定，而不會像傳統半導體那樣因高溫導致信息丟失。

研究團隊已成功制造出一個可存儲一位數據的設備，與其他高溫計算機內存演示相當。未來，在更多開發和投資的推動下，這種設備理論上可存儲兆字節或千兆字節的數據。

目前，新信息只能在高于250°C的溫度下寫入該設備。但研究人員表示，通過使用加熱器，有望實現在較低溫度下寫入信息，從而提高設備的適用性。這種耐高溫存儲器的解決方案在節能方面優于鐵電存儲器或多晶鉑電極納米間隙等替代存儲器設計。

這項研究由密歇根大學材料科學與工程助理教授Yiyang Li領導，并與桑迪亞國家實驗室的研究人員合作完成。相關成果已發表在《Device》雜志上。