據(jù)報道，三星電子決定在2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機，并與英特爾、臺積電展開下代光刻技術商業(yè)化研發(fā)競爭。此前，三星電子與比利時微電子研究中心imec合作，在imec建立的High NA EUV光刻實驗室進行了對High NA光刻的初步探索。考慮到精密的High NA EUV光刻機需要一段時間用于安裝和調(diào)試，該機臺有望最早于明年中旬投入研發(fā)使用。

由于三星目前半導體先進制程路線圖已規(guī)劃至SF1.4節(jié)點（即2027年量產(chǎn)），采用High-NA 光刻的制程最早也需要等到SF1。

在先進制程代工領域，三星的主要競爭對手英特爾已完成第二臺 High NA EUV 光刻機安裝，臺積電的首個機臺也將于今年內(nèi)實現(xiàn)交付。此外，在存儲領域，SK海力士的首臺 High NA EUV 光刻機則有望2026年引入。