
據(jù)報道,三星電子決定在2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機,并與英特爾、臺積電展開下代光刻技術商業(yè)化研發(fā)競爭。此前,三星電子與比利時微電子研究中心imec合作,在imec建立的High NA EUV光刻實驗室進行了對High NA光刻的初步探索。考慮到精密的High NA EUV光刻機需要一段時間用于安裝和調(diào)試,該機臺有望最早于明年中旬投入研發(fā)使用。
由于三星目前半導體先進制程路線圖已規(guī)劃至SF1.4節(jié)點(即2027年量產(chǎn)),采用High-NA 光刻的制程最早也需要等到SF1。
在先進制程代工領域,三星的主要競爭對手英特爾已完成第二臺 High NA EUV 光刻機安裝,臺積電的首個機臺也將于今年內(nèi)實現(xiàn)交付。此外,在存儲領域,SK海力士的首臺 High NA EUV 光刻機則有望2026年引入。





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