10 月 8 日消息,參考此前報道,新存科技 9 月 23 日發布了其自主研發的國產首款最大容量新型 3D 存儲器芯片 NM101。該新品采用先進工藝制程結合三維堆疊技術,單芯片容量達 64Gb。

新存科技官網現在公布了 NM101 芯片的參數情況:

可以看到 NM101 采用 SLC 存儲單元類型,最高 IO 速度(I/O 接口速率)3200MT/s,總線位寬為 ×8,IO 為 1.2V,支持 0℃~+70℃ 運行溫度。
新存科技表示 NM101 基于新型材料電阻變化原理,支持隨機讀寫,相比同類產品讀寫速度均可提升 10 倍以上、壽命也可增加 5 倍,可搭配業界合作伙伴的控制芯片,應用于企業級或消費級高性能存儲產品的開發。
另據《湖北日報》報道,新存科技的 NM101 芯片屬于相變存儲器(PCM,Phase Change Memory),這點與英特爾、美光合作開發的 3D XPoint 相似:

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