10 月 8 日消息，參考此前報道，新存科技 9 月 23 日發布了其自主研發的國產首款最大容量新型 3D 存儲器芯片 NM101。該新品采用先進工藝制程結合三維堆疊技術，單芯片容量達 64Gb。

新存科技官網現在公布了 NM101 芯片的參數情況：

可以看到 NM101 采用 SLC 存儲單元類型，最高 IO 速度（I/O 接口速率）3200MT/s，總線位寬為 ×8，IO 為 1.2V，支持 0℃~+70℃ 運行溫度。

新存科技表示 NM101 基于新型材料電阻變化原理，支持隨機讀寫，相比同類產品讀寫速度均可提升 10 倍以上、壽命也可增加 5 倍，可搭配業界合作伙伴的控制芯片，應用于企業級或消費級高性能存儲產品的開發。

另據《湖北日報》報道，新存科技的 NM101 芯片屬于相變存儲器（PCM，Phase Change Memory），這點與英特爾、美光合作開發的 3D XPoint 相似：

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